Полевые транзисторы с изолированным затвором. 1 Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом

 

1 Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом

Рассмотрим на примере П.Т. n-типа

Устройство:

Рис.29
Рис.29а

I – канал; SiO2 – диэлектрик; п – подложка .

 

Принцип включения:

С-И включается так, чтобы основные носители двигались от И к С в канале; на затвор подаем потенциал, препятствующий движению основных носителей зарядов в канале; подложка всегда соединена c истоком.

В нашем примере на затвор можно подать плюс или минус. Минус препятствует движению электронов в канале, следовательно, Iс уменьшается; плюс на затворе способствует движению электронов в канале, следовательно, Iс увеличивается.

Основное свойство:

Iс=Iк и заметно зависит от Uзи.

Покажем это на стокозатворной характеристике.

Рисунок 30а

 
 
Рисунок 30

 









Дата добавления: 2015-08-11; просмотров: 804;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.