Полевые транзисторы с изолированным затвором. 1 Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом
1 Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом
Рассмотрим на примере П.Т. n-типа
Устройство:
|
|
I – канал; SiO2 – диэлектрик; п – подложка .
Принцип включения:
С-И включается так, чтобы основные носители двигались от И к С в канале; на затвор подаем потенциал, препятствующий движению основных носителей зарядов в канале; подложка всегда соединена c истоком.
В нашем примере на затвор можно подать плюс или минус. Минус препятствует движению электронов в канале, следовательно, Iс уменьшается; плюс на затворе способствует движению электронов в канале, следовательно, Iс увеличивается.
Основное свойство:
Iс=Iк и заметно зависит от Uзи.
Покажем это на стокозатворной характеристике.
|
|
Дата добавления: 2015-08-11; просмотров: 857;