П.Т. с затвором в виде p-n перехода

Рассмотрим на примере транзистора с каналом n-типа. На рисунке 25 конструкция и схема включения полевого транзистора с затвором в виде p-n перехода. В кристалле создается канал ограниченный двумя p-n переходами. Началом канала является ИСТОК, окончанием СТОК.

Принцип включения:

И-С включается так, что бы основные носители в канале двигались от И к С; p-n переход З-И всегда включается в обратном направлении.

Рисунок 25а – Конструкция n – канального ПТУП

Работа транзистора

В полевых транзисторах с управляющим переходом (ПТУП) для изменения проводимости канала используется эффект изменения ширины области пространственного заряда (ОПЗ) обратно смещенного перехода при изменении приложенного к нему напряжения затвора. На рисунке 25а показана конструкция n - канального транзистора, в котором для управления используется обратносмещенный p⁺n переход

Поскольку ОПЗ обладает высоким сопротивлением, то при увеличении ширины ОПЗ сечение канала уменьшается и его сопротивление возрастает. Самое низкое сопротивление канала и, соответственно, самый большой ток через него будет при нулевом напряжении на затворе (Uзи = 0), затем по мере увеличения ширины ОПЗ при возрастании Uзи и, соответственно, уменьшении сечения канала ток будет падать и при некотором напряжении отсечки Uотс канал полностью перекроется и ток через него перестанет возрастать. Соответствующие вольтамперные характеристики ПТУП приведены на рисунке 26.

Основное свойство:

Iст=Iк заметно зависит от Uз-и

Покажем эту зависимость на стоко-затворной характеристике.

Виды и УГО

1) П.Т. с затвором в виде p-n перехода и каналом n-типа

2) П.Т. с затвором в виде p-n перехода и каналом p-типа