Схема включения БТ с общим коллектором (ОК)
|
Схема с ОК:
2.1 Iвх=IБ, Iвых=IЭ. Iвх <<Iвых, следовательно схема с заметно усиливает ток
до 100 раз.
2.2 Uвых ≤ Uвх т.к. Uвх через открытый p-n-переход Б-Э действует в нагрузке, схема с ОК повторяет напряжение на выходе.
2.3 В схеме с ОК Rвх наибольшее (до 10 кОм) т.к. ток входа идет через закрытый p-n переход Б-К.
2.4 Схему с ОК называют эмиттерный повторитель, т. к. нагрузка включается к эмиттеру и схема повторяет Uвх на выходе.
3 схема включения БТ с общим эмиттером (ОЭ)
|
|
Схема с ОЭ:
3.1 Iвх=Iб, Iвых=Iк, следовательно Iвых>>Iвх., значит: схема с ОЭ заметно усиливает ток до 100 раз;
3.2 Uвх ≈ Е1, Uвых ≈ Е2, следовательно, при Е2>>E1 → Uвых>>Uвх. Схема с ОЭ заметно усиливает напряжение до 100 раз;
3.3 Значит схема с ОЭ больше других усиливает мощность до 10000 раз, поэтому чаще других применяется в усилителях;
3.4 Можно обойтись одним источником питания.
Как определить схему включения транзистора?
Достаточно определить на какой вывод транзистора подается напряжение Uвх или ток Iвх , с какого вывода снимается напряжение Uвых или ток Iвых .
Характеристики транзисторов
Характеристика любого прибора показывает связь двух или более параметров.
Для БТ различают два вида характеристик:
1) Входная характеристика I1=f (U1), при U2=const,
для схемы с ОЭ:
Iб= f (Uбэ), при Uкэ=const – это зависимость тока базы от Uбэ при Uкэ постоянном.
|
|
При Uкэ≠0 в цепи базы проходит дополнительный ток IБ0 за счет Е2, направленный против основного тока базы и уменьшающий его. Поэтому характеристика смещена в право.
2) Выходная характеристика.
I2=f (U2), при I1=const
для схемы с ОЭ: Iк=f (Uкэ), при Iб – const
Пример выходной характеристики
|
Iк почти не зависит от напряжения к-э, т.к. это ток обратного включения p-n перехода. Iк заметно зависит от Iб.
На семействе выходных характеристик можно выделить три области, которые соответствуют определенному состоянию транзистора.
I – область отсечки – оба p-n перехода закрыты.
II – область насыщения – оба p-n перехода открыты.
III – активная область - p-n переход б-э открыт, б-к закрыт.
Параметры транзисторов
Система h параметров
1) h11=∆U1/∆I1, при U2 – const
h11 – входное сопротивление (Rвх) [Ом],
для схемы с ОЭ: h11оэ=∆Uбэ/∆Iб, при Uкэ= const
2) h12=∆U1/∆U2, I1-const - коэффициент обратной связи по напряжению,
Для схемы с ОЭ: h12оэ=∆Uбэ/∆Uкэ, Iб=const
3) h21=∆I2/∆I1, U2-const - коэффициент передачи тока
(для ОБ h21ОБ=α, для ОЭ h21ОЭ = β),
Для схемы с ОЭ: h21оэ=∆IK/∆IБ, UКЭ=const
4) h22=∆I2/∆U2, I1-const - выходная проводимость транзистора, измеряется в [См] (сименс).
Для схемы с ОЭ: h22оэ=∆IK/∆UКЭ, IБ=const
Кроме h-параметров в справочниках указывают предельное, допустимое значение: Uбэмах, Uкэмах, Uкбмах, Iбмах, Iкмах, IЭ max.
Наибольшая мощность рассеивания на коллекторе - Pк мах. – транзистор может рассеивать такую мощность не перегреваясь.
Граничная частота fгр – это частота, при которой h21оэ=1.
Обычно транзисторы используются на частоте 0,1*fгр.
fгр ОБ > fгр ОК > fгр ОЭ
Полевые транзисторы
Полевой, униполярный, канальный транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлено движением основных носителей заряда в канале, управляемый электрическим полем затвора.
Классификация полевых транзисторов (П.Т.)
2 основных вида:
1) П.Т. с затвором в виде p-n перехода или П.Т. с управляющим p-n переходом.
2) П.Т. с изолированным затвором:
2.1) П.Т. с изолированным затвором и встроенным каналом
2.2) П.Т. с изолированным затвором и индуцируемым каналом.
Каждый из транзисторов может иметь p-канал и n-канал.
Дата добавления: 2015-08-11; просмотров: 1885;