Условное графическое обозначение

 

1) Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом «n»- типа

Рис.31

2) Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом «p»- типа

Рис.32

Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом.

Рассмотрим на примере транзистора с каналом «n»-типа:

Рис.33

Принцип включения: И-С включается так, чтобы основные носители двигались от И к С: на затвор подается такой потенциал, чтобы создавался канал того же типа как И,С.

На нашем примере на З подает плюс, поэтому электрическое поле З притягивает электроны и у З создается канал (индуцированный). Напряжение З-И, при котором создается канал, называется пороговый (U п).

Основное свойство: Iк = Iс заметно зависит от U з-и, начиная с U п.

Покажем это на характеристиках:

       
   
Рис.34а
 
Рис.34
 

 









Дата добавления: 2015-08-11; просмотров: 812;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.003 сек.