Транзисторы. Транзисторы (Т) – полупроводниковые приборы, служащие для усиления мощности электрических сигналов

Транзисторы (Т) – полупроводниковые приборы, служащие для усиления мощности электрических сигналов. По принципу действия транзисторы делятся на биполярные и полевые («униполярные»).

Рис. 8.6. Структура биполярного транзистора типов (а), (б)

и их условное обозначение

Биполярный транзистор (БТ) представляет собой трехслойную структуру (рис. 8.6). В зависимости от способа чередования слоев БТ называются транзисторами типа или типа (рис. 8.6,а,б).

Транзистор называется биполярным, если физические процессы в нем связаны с движением носителей обоих знаков (свободных электронов и дырок).

В биполярном транзисторе средний слой называется базой (Б), один крайний слой – коллектором (К), а другой крайний слой – эмиттером (Э). Каждый слой имеет свой вывод, с помощью которых биполярный транзи­стор подключается в цепь.

Структура и условное обозначение одного из видов полевых транзи­сторов показана на рисунке 8.7. У полевых транзисторов так же, как и у биполярных, – три электрода, называемые истоком, стоком и затвором.

Истоком (И) называется электрод, из которого в центральную область ПТ (канал) входят основные носители заряда п- или р-типов.

Сток (С) – электрод, через который основные носители уходят из канала.

Затвор (З) – электрод, управляющий потоком носителей заряда.

Поскольку в полевом транзисторе ток определяется движением носителей только одного знака р- или п-типов, эти транзисторы называют также униполярными.

Рис. 8.7. Структура (а) и условное обозначение полевого транзистора с каналом р-типа (б)








Дата добавления: 2015-08-11; просмотров: 1007;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.003 сек.