Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
Рассмотрим особенности прохождения частицы над прямоугольным потенциальным барьером (рис. 1.2, а), когда E>U1, и E>U2. Сразу отметим, что надбарьерное прохождение частиц может служить одним из простейших примеров проявления квантовых размерных эффектов. Последние в этом случае приводят к квазипериодической осцилляции коэффициента прохождениячастиц при изменении их энергии Е.
В данном случае решение уравнения Шредингера для всех трех областей будет иметь вид
,
здесь j- номер области. При этом, в отличие от (1.2.1),
К2 (1.3.1)
где Е2 =E-U1.
Полагая, как и ранее, что частицы движутся слева направо, в отсутствии рассеяния можно получить
, (1.3.2)
R = 1-D; (1.3.3)
Заметим, что выражения (1.3.2), (1.3.3) переходят в (1.2.5), (1.2.6), если учесть, что К2 =-i
В случае симметричного барьера, когда К1 = К3 (рис. 1.2, б), выражения (1.3.2) и (1.3.3) упрощаются и принимают вид
(1.3.4)
(1.3.5)
Анализ (1 .3.4) и (1.3.5) показывает, что при изменении энергии частицы Е будут наблюдаться осцилляции коэффициентов прохождения и отражения. При этом, когда D=Dmax, то R = Rmin , инаоборот. Период осцилляции соответствует условию
или
K2,nL=n (1.3.6)
при выполнении, которого коэффициент прохождения для частиц с волновым вектором K2,n обращается в единицу. В этом случае для частиц с энергией
Е2,n=Е-U0 (1.3.7)
на ширине барьера L укладывается целое число полуволн де Бройля и коэффициент отражения равен нулю. Квазиклассически это можно трактовать как результат интерференции волн, отраженных от скачков потенциала на границах барьера. Условие (1.3.7) можно еще записать в виде
(1.3.8)
Величина Vn равна энергии n-го уровня частицы, локализованной внутри потенциальной ямы шириной L с бесконечно высокими стенками, т.е. резонансные значения энергии Е2,n совпадают с энергией n-го уровня такой ямы.
При изменении энергии частицы коэффициент прохождения осциллирует, как показано на рис. 1.3. Минимальные значения D=Dmin, соответствующие им значения Е'2п («антирезонансные» состояния) можно приближенно оценить из условия
Отсюда
n=1,2…; (1.3.9)
Dmin,n (1.3.10)
С ростом номера п и уменьшением ширины барьера L минимальный коэффициент прохождения Dmin,n быстро возрастает, так что осцилляции становятся все менее выраженными. Увеличение высоты барьера U0, напротив, уменьшает Dmin,n, увеличивая амплитуду осцилляции, при этом соответствующие антирезонансные значения остаются постоянными (рис. 1.3).
Используя предыдущие рассуждения (симметричный барьер), можно получить выражение для оценки отношения концентрации
Рис. 1.3 Зависимости коэффициента прохождения над потенциальным барьером от энергии |
частиц в окрестности точки с координатой 0 < x < L (над барьером) к концентрации частиц в падающей волне (см. рис. 1.2, б)
(1.3.11)
здесь D определяется выражением (1.3.4).
Согласно (1.3.11) для частиц, имеющих энергию Е, удовлетворяющую условию (1.3.6), когда D> Dmах = 1, получим
Q(x=0) =1, Q(x=L/2)=E/(E-U0)=1+(U0/E2), Q(x=L)=1 (1.3.12)
Следовательно, в данном случае концентрация частиц с энергией E в области, занимаемой барьером, будет больше, чем в падающей волне, т.е., несмотря на то, что при Е > U0 волновая функция электрона «размазана» по всему пространству, существуют избранные значения энергии (и импульса) Ет при которых вследствие интерференции электронных волн, отраженных от границ барьера, амплитуда волновой функции в области барьера будет больше, чем в других областях.
Сделанные выводы справедливы и в случае несимметричного барьера (см. рис. 1.2, а, в, г). Однако при этом Dmах будет меньше единицы, поэтому все эффекты выражены слабее.
В реальных полупроводниковых структурах наблюдать и тем более использовать на практике квантовые осцилляции вероятности надбарьерного прохождения носителей заряда достаточно трудно, поскольку над барьером могут проходить лишь «горячие» электроны, причем увеличение эффекта за счет более высоких барьеров требует соответствующего повышения их энергии. Кроме того, уменьшение коэффициента прохождения при увеличении энергии электронов, которое в принципе могло бы привести к появлению падающего участка на ВАХ структуры, реально оказывается либо малым, либо происходит на интервале энергий 30.. .50 мэВ, сравнимом с тепловым разбросом при комнатной температуре, и поэтому при температурах выше комнатной сильно размыто.
Дата добавления: 2015-08-11; просмотров: 984;