Схема с общим эмиттером

На рис. 6.11 изображена схема с общим эмиттером (ОЭ).

Рис. 6.11. Схема включения транзистора с ОЭ

Схема с общим эмиттером (ОЭ) имеет следующие семейства характеристик:

– выходных I_К=f(U_КЭ) при постоянном значении тока базы.

– входных I_Б=f(U_ЭБ) при постоянном напряжении U_КЭ.

Напряжение на эмиттерном переходе П₁ определяет напряжение U_БЭ, а на коллекторном переходе П₂.

На выходных характеристиках выделяют три области (рис. 6.12).

Рис. 6.12. Семейство выходных характеристик схемы включения

транзистора с ОЭ

Напряжение на эмиттерном переходе П₁ определяет U_БЭ, а на коллекторном переходе П₂ – (U_КЭ – U_БЭ). На выходных характеристиках три области:

Первая область – начальная область, зависимость сильная I_К от U_КЭ,

Вторая область – слабая зависимость I_К от U_КЭ,

Третья область – тепловой пробой коллекторного перехода.

Характеристики начинаются из начала координат. При U_КЭ = 0, напряжение на коллекторном переходе будет равно напряжению U_БЭ. Коллекторный переход открыт, поток дырок из коллектора в базу и из эмиттера в коллектор компенсируется, ток коллектора I_К = 0. По мере возрастания напряжения U_КЭ по модулю, прямое напряжение на переходе П₂ снижается, его инжекция снижается и увеличивается ток I_К. На границе первой и второй областей прямое напряжение снимается с перехода П₂ и во второй области на переход действует обратное напряжение (U_КЭ>U_БЭ).

Входные характеристики изображены на рис. 6.13.

Рис. 6.13. Семейство входных характеристик в схеме включения

транзистора с ОЭ

При значении U_КЭ = 0 входная характеристика соответствует прямой ветви ВАХ p-n-перехода. При увеличении значения напряжения U_КЭ по модулю, характеристики смещаются за счет эффекта модуляции базы. При çU_КЭ>0ç при U_БЭ=0, ток I_Б¹0 за счет обратного тока через p-n- переход.