Схема с общей базой

Схема с общей базой (ОБ) имеет следующие семейства характеристик:

– выходных Iк=f(UКБ) при постоянном значении тока эмиттера;

– входных IЭ=f(UЭБ) при постоянном напряжении UКБ.

 

Рис. 6.8. Распределение токов в схеме с общей базой

 

На выходных характеристиках выделяют три области (рис. 6.9).

 

Рис. 6.9. Семейство выходных характеристик схемы включения

транзистора с ОБ

 

Первая область – область сильной зависимости IК от UКБ. Она расположена левее оси ординат.

UКБ = -UК – UКБ/,

где UК – напряжение на p-n- переходе,

UКБ/ – внешнее напряжение.

При UКБ/= 0, при Iэ > 0, Iк >0, поэтому, чтобы уменьшить значение тока коллектора IК, необходимо подать положительное значение напряжения UКБ/ , то есть перевести коллектор в режим эмиттера. Тогда потоки дырок взаимно компенсируются и IК = 0.

Вторая область – слабая зависимость IК от UКБ.

При подаче отрицательного значения напряжения UКБ/ характеристики немного поднимаются за счет эффекта модуляции толщины базового слоя. Повышение напряжения çUКБç приводит к уменьшению толщины базы, а следовательно, к увеличению коэффициентов передачи тока a и переноса неосновных носителей через базу d.

Третья область – область теплового пробоя (существует предел повышения UКБ).

Входные характеристики показаны на рис. 6.10.

 

Рис. 6.10. Семейство входных характеристик в схеме с ОБ

 

Кривая, снятая при значении напряжения UКБ1, размещается левее и выше кривой, снятой при UКБ = 0, вследствие происходит явление базовой модуляции. При UКБ = 0, переход П2 закорочен и не влияет на ток базы. Изменение UКБ (на коллекторном переходе) вызывает модуляцию ширины базы. С ростом çUКБçэто приводит к увеличению градиента концентрации инжектируемых в базе дырок, в результате чего увеличивается ток диффузии, то есть ток эмиттера.

Диффузия – перемещение носителей заряда в направлении понижения их концентрации. Такое перемещение зарядов в полупроводнике образует ток диффузии, пропорциональный градиенту концентрации, представляющий собой отношение изменения концентрации носителей заряда данного знака к расстоянию, на котором происходит это изменение.

 








Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 629;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.006 сек.