Распределение токов в структуре транзистора

На рис. 6.5 изображено распределение токов в структуре транзистора.

Рис. 6.5. Распределение токов в структуре транзистора

Наличие коллекторного перехода П₂ (рис. 6.5), включенного в обратном направлении, обуславливает протекание обратного тока I_ко (вследствие дрейфа не основных носителей заряда). Концентрация не основных носителей зависит от температуры, следовательно, и ток I_ко зависит от температуры, поэтому этот ток называется тепловым

I_к = a×I_э + I_ко.

Принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного (проходящего) потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и управлении коллекторным (выходным) током за счет изменения эмиттерного (входного) тока, следовательно, биполярный транзистор управляется током.

Сопротивление эмиттерного перехода R_э составляет единицы-десятки Ом, поэтому в эту цепь обычно подается небольшое напряжение. Сопротивление коллекторного перехода R_к составляет сотни кОм – единицы МОм, поэтому в цепь коллектора подводят большое напряжение. В коллекторную цепь возможно включать большие внешние сопротивления. Таким образом, R_к>>R_э.

Вследствие того, что изменение тока эмиттера происходит в цепи с малым сопротивлением, а почти равное ему изменение тока происходит в цепи коллектора, обладающего большим сопротивлением, то мощность, выделяемая на сопротивление R_к, значительно превышает мощность в цепи эмиттера. Следовательно, транзистор обладает свойством усилителя.