Время жизни неравновесных носителей заряда

При воздействии на п/п света он получил избыточную концентрацию носителей Dn, Dp.

После прекращения энергетического воздействия на полупроводник избыточная концентрация носителей заряда в нем из-за процесса рекомбинации через некоторое время уменьшится до нуля.

!!! Количество носителей заряда, рекомбинирующих в единицу времени в единице объема (быстрота изменения концентрации), пропорционально избыточной концентрации и обратно пропорционально некоторому параметру t, который называют временем жизни неравновесных носителей заряда.

dn/dt =Dn/t_n ; dp/dt =Dp/t_p (2.10)

Концентрация неравновесных носителей заряда

n = Dn e^–^t^/^tⁿ; p = Dp e^–^t^/^t^p(2.11)

!!! временем жизни неравновесных носителей заряда является отношение избыточной концентрации (Dn или Dр) неравновесных носителей заряда к скорости изменения этой концентрации вследствие рекомбинации:

t_n_,р= Dn,p/( dn,p/dt) (2.12)

02.2013 Флёров А.Н. курс “ Электроника и МПУ” Для самостоятельного изучения

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

http://ru.wikipedia.org/wiki/%C7%E0%EF%F0%E5%F9%B8%ED%ED%E0%FF_%E7%EE%ED%E0

Ширина запрещённой зоны различных материалов

Материал	Энергия в эВ 300 K
C (Алмаз)	5,46–6,4
Si	1,12
Ge	0,67
Se	1,74
А^IVВ^IV
SiC 3C	2,36
SiC 4H	3,28
SiC 6H	3,03
А^IIIВ^V
InAs	0,355
InSb	0,17
InN	0,7
InxGa1-xN	0,7–3,37
GaN	3,37
GaP 3C	2,26
GaSb	0,69
GaAs	1,42
AlxGa1-xAs	1,42–2,16
AlAs	2,16
AlSb	1,58
AlN	6,2
А^IIВ^VI
TiO2	3,2
ZnO	3,37
ZnS	3,56
ZnSe	2,70
CdS	2,42
CdSe	1,74
CdTe	1,45
CdS	2,4

<2 3 4 567 8 >

Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 750;