ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Удельная электропроводность полупроводника определяется концентрацией свободных носителей заряда и их подвижностями:

(7.27)

Концентрации свободных электронов и дырок в собственных и примесных полупроводниках описываются выражениями (7.19), (7.24), (7.25).

Подвижности свободных носителей определяются характером рассеяния электронных волн на дефектах кристаллов, к которым относятся примесные атомы, дислокации, границы зерен, дефекты по Френкелю и Шоттки, тепловые колебания решетки.

В атомных полупроводниках при больших температурах преобладает рассеяние на тепловых колебаниях, при низких температурах преобладает рассеяние на примесях.

Если в рассеянии носителей участвуют оба механизма, то полагая, что их действие является независимым и аддитивным величину обратную подвижности можно представить в виде:

(7.28)

где μт - подвижность носителей в условиях, когда основное значение имеет рассеяние на тепловых колебаниях решетки; μпр - подвижность носителей, когда преобладает механизм рассеяния на ионизированных примесях.

Соответствующий теоретический расчет дает следующую зависимость величины обратной подвижности от температуры:

(7.29)

При низких температурах преобладает первое слагаемое, при высоких – второе.

Зависимость (7.29) в полулогарифмической системе координат представлена на

рис. 7.6 для высоких (1) и низких температур (2).

Положение максимума смещается в область более высоких температур с ростом концентрации дефектов.

Из сравнения выражений (7.19), (7.24), (7.25) с выражением (7.29), следует, что температурная зависимость удельной электропроводности полупроводника (7.27) в основном определяется зависимостью от температуры концентрации носителей и может быть представлена выражением:

, (7.30)

где σc и σпр - удельные электропроводности, созданные собственными и примесными носителями, σ01 и σ02 - коэффициенты, слабо зависящие от температуры.

Для собственных полупроводников в выражении (7.30) второе слагаемое в правой части отсутствует. Зависимость σс от температуры удобно представить в полулогарифмических координатах:

. (7.31)

Из формулы (7.31) следует, что для собственных полупроводников логарифм удельной электропроводности, пренебрегая слабой температурой зависимостью lnσ01, можно считать линейной функцией от (рис. 7.7).

Тангенс угла наклона этой прямой к оси абсцисс равен , а отрезок, отсекаемый продолжением прямой на оси ординат ln σ01. Экспериментальные исследования зависимости удельной электропроводности собственных полупроводников от температуры находятся в хорошем согласии теоретической зависимостью, приведенной на рис. 7.7.

Для примесного полупроводника в области комнатных (низких) температур определяющим в выражении (7.30) является второе слагаемое, а в области высоких температур, когда наступает примесное истощение – первое. Зависимость удельной электропроводности примесных полупроводников от температуры, также как для собственных полупроводников, удобно представлять в полулогарифмических координатах:

- для низких Т, (7.32)

- для высоких Т. (7.33)

Зависимость логарифма удельной электропроводности примесного полупроводника от температуры имеет вид поломанной линии, в соответствии с преимущественным вкладом собственных и примесных носителей заряда (рис. 7.8).

В области низких температур в полупроводнике преобладает примесная проводимость (участки 1-2, 1′ – 2′), возрастание которой определяется увеличением концентрации примесных носителей заряда с ростом температуры. Участки 2-3, 2′ – 3′) соответствуют температурам, при которых наступает примесное истощение, а собственная электропроводность еще очень мала.

Спад электропроводности с ростом температуры на этих участках связан с уменьшением подвижности носителей заряда (рис. 7.6).

При дальнейшем возрастании температуры преобладающей становится собственная электропроводность, которая быстро увеличивается с ростом температуры (линия АВ на рис. 7.8) за счет возрастания концентрации собственных носителей. При увеличении концентрации примесных атомов ( ) в полупроводнике, участки ломаной линии 1-2-3 смещаются вверх по оси ординат в положение 1′ – 2′ – 3′, а температура перехода от примесной электропроводности к собственной смещается в область более высоких температур. При больших концентрациях примеси примесное истощение не наступает вплоть до температур, при которых преобладающей становится собственная электропроводность. Спад электропроводности при этом не наблюдается (участок 1′′ – 3′′ на рис. 7.8). Как следует из выражений (7.32), (7.33) и рис. 7.8 по тангенсам углов α1 и α2 можно определить ширину запрещенной зоны и энергию активации примесей.

 

 

 
 

7.4. ЭФФЕКТ ХОЛЛА. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ,








Дата добавления: 2015-07-24; просмотров: 1282;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.009 сек.