Полевые транзисторы. Униполярные транзистроры.

Униполярные транзистроры.

Полевой транзистор с управляющим переходом и каналом p типа

Полевые транзисторы были предложены где-то в 30-е г.г.. Были реализованы позже б/п.

Между затвором, истоком и стоком может подаваться определенное напряжение. Подаем переменное напряжение так, что n-p переход включен в обратном направлении. Ширина запирающего слоя начинает меняться. Соответственно меняется ширина канала. Ширина объединенного слоя увеличивается, а ширина канала, который может проводить ток, уменьшается. Соответственно изменяется проводимость. Таким образом, с помощью маленького сигнала меняем проводимость транзистора. Если подать слишком большое напряжение, ширина запирающего слоя может перекрыть весь канал, и транзистор перейдет в режим отсечки.

Все основные закономерности похоже на те, что имеют место в случае б/п транзистора, но принцип работы другой.

Есть объединенный слой. Поэтому такой транзистор будет характеризоваться барьерной емкостью, так же как б/п транзистор. Диффузионной емкости тут не будет, поскольку нет инжекции.

Для полевого транзистора также могут быть выделены схемы включения с общим истоком (эквивалентно схеме с общим Э), с общим затвором (эквивалентно схеме с общей Б), с общим стоком (эквивалентно схеме с общим К).