Изоляция обратносмещенным p-n-переходом, созданная методом разделительной диффузии

Достоинство этого наиболее распространенного способа изо­ляции (рис. 118) заключается в простоте и сравнительно малой стоимости изготовления ИМС. Однако он имеет ряд недостатков.

Рисунок 118 – Изоляция обратносмещенным р-п переходом

Самый большой недостаток структур с диодной изоляцией обусловлен наличием паразитных емкостей, ограничивающих бы­стродействие ИМС. Кроме того, при использовании такой изоля­ции большая часть площади кристалла занята изолирующими диффузионными областями. Это объясняется тем, что при проведении изолирующей диффузии примеси р-типа проникают в боковом направлении на расстояние, равное толщине эпитаксиального слоя, которая при стандартном методе диодной изоляции состав­ляет 7-10 мкм. Дальнейшее повышение плотности элементов и уменьшение паразитных емкостей были достигнуты с появлени­ем возможности наращивания эпитаксиальных слоев толщиной 1-3 мкм.