Коллекторная изолирующая диффузия

Данный способ основан на использовании кремниевых эпи­таксиальных структур со скрытыми слоями. Однако тонкий эпи-таксиальный слой (толщина 1 — 2 мкм) имеет проводимость р-типа, а не n-типа, как в случае создания ИМС с диодной изоляцией. Для изоляции элементов ИМС (рис. 119) проводят селективную диффу­зию донорной примеси через эпитаксиальный р-слой так, чтобы по периферии образовался контакт со скрытым слоем. Полученная диффузионная n⁺-область полностью окружает каждый участок скрытого слоя и является контактом к коллекторной области.

Рисунок 119 – Коллекторная изолирующая диффузия

Коллекторная изолирующая диффузия (КИД) позволяет со­кратить площадь элементов в 3 - 4 раза по сравнению со стандар­тным методом диодной изоляции.

С помощью КИД достаточно легко выполняются диффузион­ные перемычки, так как в этом случае не требуется изолирующая область. Кроме того, площадь, занимаемая диффузионной перемычкой, составляет лишь четверть площади, необходимой для со­здания такой же перемычки при диодном метоле изоляции.

Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером и сопротивление насыщения получаемого при этом транзистора, представляющие собой важнейшие параметры переключения, зна­чительно ниже соответствующих параметров транзистора с диод­ной изоляцией. При использовании КИД количество фотолито­графических операций уменьшается на одну по сравнению с технологией изготовления ИМС с диодной изоляцией. Это позво­ляет повысить процент выхода годных и уменьшить стоимость из­готовления ИМС.