Принцип работы. Рисунок 76 – Схема включения динистора

Рисунок 76 – Схема включения динистора

Если приложить к динистору прямое напряжение (плюс к катоду, минус к аноду), то к крайним p-n переходам П₁ и П₃ будет приложено прямое напряжение, а к среднему П₃ – обратное. Сопротивление p-nперехода очень велико. Динистор находится в закрытом состоянии. Для того чтобы он открылся необходимо скомпенсировать потенциальный барьер p-n перехода П₂.

Динистор имеет три p-n перехода. Процессы, происходящие в нем удобно рассматривать, представив его в виде двух транзисторов PNP и NPN типов.

Рисунок 77 – Схема включения динистора через 2 транзистора

При малом напряжении на динисторе происходит инжекция дырок из эмиттера Э1 в базу Б1 и эмиттера Э2 в базу Б2. Через динистор протекает слабый ток, практически равный обратному току коллекторного перехода. Динистор закрыт.

Увеличение внешнего напряжения приведет к возрастанию напряжения на эмиттерных переходах. При этом увеличится инжекция дырок из эмиттера Э₁ в область базы Б₂ и электронов из эмиттера Э₁ в базу Б₂ через сниженный потенциальный барьер. В базах происходит накопление носителей заряда. Нарастающий положительный заряд в области базы Б₁ создает ускоряющее поле для электронов из эмиттера Э₂ , а также отрицательный заряд в области базы Б₂ создает ускоряющее поле для дырок из эмиттера Э₁. Этот процесс создает условие для лавинного нарастания тока.

Нарастание носителей зарядов в области баз создает электрическое поле. При определенном напряжении наступает момент, когда носители заряда из одной области перебрасываются этим электрическим полем. Напряжение, приложенное к коллекторному переходу, становится прямым, потенциальный барьер среднего p-n перехода снижается до нуля, сопротивление резко уменьшается – динистор открыт.