МДП-транзистор с индуцированным каналом

Рисунок 66 – Структура МДП-транзистора с

индуцированным каналом

Основой транзистора является монокристалл кремния. В нем создается две области с повышенной концентрацией примеси (области сток и исток). Затвор представляет собой пленку металла, которая нанесена на поверхность диэлектрика. Между областью истока и стока нет токопроводящего канала.

Рисунок 67- УГО МДП-транзистора с индуцированным каналом

Принцип работы основан на взаимодействии токопроводящего канала между областью истока и стока.

Если напряжение затвор-исток равно нулю, то ток стока протекать не будет, т.к. отсутствует токопроводящий канал между стоком и истоком.

Если приложить обратное напряжение затвор-исток, то электроны отталкиваются в глубь кристалла, а дырки притягиваются на поверхность кристалла и в поверхностном слое полупроводника образуется тонкий слой p-типа. При увеличении отрицательного напряжения на затворе происходит увеличение числа носителей заряда. Процесс увеличения числа носителей заряда в канале называется обогащением. Ток стока при этом увеличивается.