МДП-транзистор со встроенным каналом

Рисунок 70 – Структура МДП-транзистора со встроенным каналом

Устройство транзистора аналогично устройству МДП транзистору с индуцированным каналом. Отличие состоит в том, что между областью стока и истока создан небольшой канал с тонким слоем примеси.

Рисунок 71 – УГО МДП-транзистора со встроенным каналом

Принцип управления основан на изменении плотности зарядов в канале и изменении поперечного сечения канала.

При отсутствии напряжения затвор-исток, между истоком и стоком по тонкому внутреннему каналу протекает ток.

При отрицательном напряжении на зажимах затвор-исток дырки будут втягиваться в канал из кристалла или соседних областей. Произойдет обогащение канала основными носителями заряда. Электропроводность канала увеличится, сопротивление уменьшится. Такой режим работы транзистора называется обогащением.

При положительном напряжении на зажимах затвор-исток дырки будут выталкиваться из канала в кристалл. Произойдет обеднение канала основными носителями заряда. Электропроводность канала уменьшается, сопротивление увеличится. Такой режим работы транзистора называется обеднением.

Рисунок 72 – Статические характеристики МДП-транзистора