Будова і принцип роботи, основні характеристики деяких РЕМ

Скануючий растровий мікроскоп складається із стенда, на якому змонтовані колона, система управління і реєстрування інформації; вакуумної системи та блока живлення. Оскільки принцип роботи РЕМ і реєстрування інформації детально викладений в частині 1, то у цьому підрозділі буде акцентована увага лише на деяких деталях. Для отримання в РЕМ інформації пучок електронів, сформований освітлювальною системою (до великої міри аналогічної до ПЕМ), фокусується в певному місці зразка. Як відмічалося у розділі 2, він характеризується трьома основними параметрами: сила струму (і = 10-12 – 10-16 А), діаметр (d = 5 нм – 1 мкм) і кут його розходження
(α = 10-4 – 10-2 ст.рад.), які тісно пов’язані між собою і входять в основні співвідношення растрової мікроскопії.

В області взаємодії пучка електронів з речовиною відбувається пружна і непружна взаємодія, яка спричиняє генерацію різних випромінювань (або сигналів для детекторів): пружні, вторинні, поглинуті й ті, що пройшли зразок, електрони; характеристичне і гальмівне (безперервне) рентгенівське випромінювання та катодолюмінісцентне випромінювання (рис. 4.1). Фіксуючи величину (інтенсивність) цих сигналів, можна визначити певні характеристики об’єкта дослідження: локальну топографію, хімічний склад, енергетичні властивості напівпровідникового зразка і т.д. Для дослідження зразка по всій поверхні здійснюється сканування пучка вздовж осей X і Y за допомогою електромагнітних котушок.

За аналогією з характеристикою ПЕМ (таблиця 6.2) наведемо основні параметри деяких РЕМ (таблиця 6.3).

Цю інформацію доповнимо такою: тиск залишкових газів у вітчизняних РЕМ – 10-3 – 10-4 Па, а у зарубіжних
10-4 – 10-5 Па. Але для більш детального знайомства із різними типами РЕМ (а також - ПЕМ) можна скористатися відповідними альбомами з великим обсягом інформації.

 

Таблиця 6.3 – Основні характеристики деяких РЕМ

 

Прилад U, кВ δ, нм М, тис. Реєстрація випромі-нювання, інформація
1 РЕМ-100У до 40 7-10 до 200 ВЕ, РВ
2 РЕММА-200А –//– 7,0 до 400 –//–
3 РЕМ-101М РЕМ-102Е –//– до 5,0 –//– ВЕ, топографія у відбитих електронах; потенціальний контраст; наведений струм; поглинуті електрони та ін.
4. JSM-840 (Японія) –//– 4-10 до 300 –//–

 








Дата добавления: 2015-05-26; просмотров: 1409;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.003 сек.