Частотный и фазовый модуляторы

Наибольшее применение имеет ЧМ на основе варикапа - полупроводникового диода с обратно смещенным р-n-переходом. Закон изменения емкости р-n-перехода, называемой барьерной, или зарядной, от величины обратного напряжения U имеет вид:

, (21.17)

где С_нач - начальная емкость; j₀=0,5…0,7 В (для кремния) - контактная разность потенциалов. График зависимости (21.17) приведен на рис. 21.5.

Рис. 21.5. График зависимости изменения барьерной емкости варикапа от величины обратного напряжения

Схема ЧМ с варикапом в контуре автогенератора, приведена на рис. 21.6,а. Схема ФМ с тремя контурами ВЧ усилителя и тремя варикапами, что позволяет увеличить девиацию фазы, изображена на рис. 21.6,б.

Рис. 21.6. Схема ЧМ с варикапом в контуре автогенератора

При небольшой амплитуде модулирующего напряжения DU относительное изменение частоты под действием варикапа составит:

, (21.18)

где k_св - коэффициент связи варикапа с контуром; С₀ - емкость варикапа при U=U₀; C_к - емкость контура.