Бесконтейнерный метод

Применяется для получения еще более чистых кристаллов, полупроводников и диэлектриков, при этом отсутствует взаимодействие расплава с тиглем.

Особенность: затравка и кристалл располагаются на одной вертикали. Расплавленная зона перегоняется от одного конца слитка кристалла к другому, удерживаясь между затравкой и кристаллом за счет сил поверхностного напряжения. Благодаря тому, что примеси оттесняются в расплав растущего кристалла при каждом перемещении расплавленной зоны по кристаллу, количество вредных примесей в нем уменьшается, только этим методом достигается сверхвысокая чистота для полупроводниковых кристаллов ИК техники.

10^-9%, S=10…70 мм/час; n=2 мин^-1.

Полупроводниковые кристаллы электронной и дырочной проводимости. В них надо внести примеси.

Рисунок 40. Схема бестигельной вертикальной зонной плавки

1 – затравка; 2 – нагреватель; 3 – зона расплава; 4 – держатель; 5 – кристалл: 6 – поликристалл.