Метод Чохральского

Этим методом выращивают полупроводниковые кристаллы Si, Ge, Ga, As; диэлектрики LiNbO₃, LiTaO₃, TeJ-TeBr-CaF₂.

Рисунок 36. Схема выращивания кристалла из расплава методом Чохральского.

1 – кристаллодержатель; 2 – затравка; 3 – растущий кристалл; 4 – нагреватель; 5 – фронт кристаллизации; 6 – тепловой экран; 7 – держатель тигля.

Отличие этого метода лишь в том, что фазовая граница между раствором и растущим кристаллом находится выше уровня расплава.

Процесс формирования шейки и обратного конуса аналогичен предыдущему методу без всяких отличий.

Скорость вытягивания v_выт.=1-40мм/час (в зависимости от материала). Допустимые колебания температуры расплава не выходит за предел половины градуса.

В качестве исходной шихты используется сверхчистый поликристалл аналогичных соединений.

Главная проблема при этом обеспечить минимальное содержание примесей, которые могут быть до 10^-8 %, и дислокацией в процессе роста.

Существуют также другие методы выращивания из расплава, например Бриджмена.

Метод Бриджмена.

Рисунок 37. Схема выращивания кристалла из расплава методом Бриджмена.

1 – тигель; 2 – тепловой экран; 3 – затравка; 4 – держатель тигля; 5 – расплав; 6 –нагреватель; 7 – зона охлаждения.