Неравновесные носители, рекомбинация носителей

Наряду с процессом тепловой генерации электронов и дырок вследствие перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости в полупроводниках протекает процесс рекомбинации свободных носителей. Если бы процесс генерации был единственным, то концентрация свободных носителей непрерывно возрастала с течением времени. Процесс генерации носителей уравновешивается рекомбинацией носителей. Электрон в зоне проводимости может потерять вследствие определенных причин энергию и перейти опять в валентную зону. При этом ликвидируется как электрон проводимости, так и дырка в валентной зоне.

При любой температуре в полупроводниках устанавливается равновесие между процессом тепловой генерации носителей и процессом рекомбинации. Этому равновесию соответствует равновесная концентрация носителей. Такие носители называются равновесными. Закон действующих масс применим только к равновесным носителям.

Если генерация носителей заряда осуществляется под действием других факторов, а не вследствие повышения температуры, таких как облучение светом, введение носителей заряда извне за счет электрического поля и т.п., то концентрация носителей будет отличаться от равновесной. В полупроводнике появятся избыточные носители называемые неравновесными носителями. Концентрации таких носителей обозначают через Dn и Dp. Полная концентрация носителей заряда будет равна

(2.5.1)

где n_o и p_o - равновесные концентрации.

Каждый неравновесный носитель возникнув в полупроводнике существует в нем определенное время ограниченное его рекомбинацией. Для отдельных носителей это время различно, поэтому вводят среднее время жизни носителей, которое для электронов обозначают tn, а для дырок tp.

Процесс генерации характеризуется скоростью генерации G, которая равна числу носителей появляющихся в единицу времени в единичном объеме полупроводника. Аналогично процесс рекомбинации характеризуют скоростью рекомбинации

, (2.5.2)

.

знак минус указывает на то, что в процессе рекомбинации концентрация носителей уменьшается.

Виды рекомбинации. Процесс рекомбинации носителей, т.е. переход электрона из зоны проводимости в валентную зону может происходить двумя путями. При межзонной рекомбинации электрон из зоны проводимости переходит в валентную зону. Возможен второй способ перехода электрона - сначала он переходит на примесный уровень En, а затем с примесного уровня в валентную зону. Этот тип рекомбинации называется - рекомбинацией через примесный уровень. В обоих случаях выделяется одна и та же энергия. Только в первом случае она выделяется сразу, а во втором постепенно.

Выделение энергии может происходить в виде квантов света hn или в виде фотонов. Тепловые колебания кристаллической решетки квантованы, соответствующие им квазичастицы (аналогичны с квантами света) называются фотонами hng, где ng - частота нормальных колебаний решетки. Если при рекомбинации происходит выделение кванта света, то он называется излучательной. Если все энергия электронов при рекомбинации переходит в тепловую, то она называется безизлучательной.

Рис. 2.7