Биполюсті транзистордың құрылымы

Биполюстітранзистор – күшейту қасиеттері заряд тасушылардың инжекциясы және экстракциясы құбылыстарымен туындайтын, өзара әрекеттесуші екі p-n өткелдері бар шала өткізгішті триод. Заряд тасушылардың екі типі де: электрондар да кемтіктер де қатысатындықтан олар биполюсті деп аталады.

Олар үш электрод және екі p-n өткелден тұратын үш қабаттан құралады (5.2-сурет). n₁-p арасындағы аудан p-n₂ арасындағыға қарағанда әлдеқайда аз. Транзистордың құрылымы бейсимметриялы. Ауданы кіші асқын қоспаланған тасушыларды базаға инжекциялауға арналған қабаты эмиттер деп аталады (Э). Ауданы үлкен, тасушыларды базадан экстракциялауға арналған және осы тасушыларды жинайтын қабат, коллектор деп аталады (К). Тасушылардың эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын басқаратын ортаңғы қабат, база деп аталады (Б).

База арқылы эмиттерлік (ЭӨ) және коллекторлық (КӨ) өткелдер деп аталатын екі p-n өткелдердің байланысы жүзеге асырылады. Өткелдердің өзара әсерлесуі өткелдер арасындағы базаның өте аз қалыңдығы арқылы жүзеге асырылады (ондаған микрометр). Кез келген жағдайда ол базадағы қосалқы тасушылардың диффузиялық қабатының қалыңдығынан әлдеқайда аз болуы қажет. Сонымен қатар базаның электрөткізгіштігі эмиттердің электрөткізгіштігі­нен айтарлықтай аз болуы қажает.

Базасы бір текті транзисторлар дрейфсіз, базасы әр текті – дрейфті деп аталады. Шала өткізгіш қабаттары типтерінің орналасу ретіне байланысты n-p-n- және p-n-p- типті транзисторлар болып бөлінеді. Екі типтегі транзисторлардың жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылығы тек n-p-n-типті транзисторда базадан коллекторға, эмиттерден инжекцияланған, электрондар қозғалады, ал p-n-p-типті транзисторда – кемтіктер. Ол үшін транзистордың электродтарына кері полюсті қорек көздері қосылады. Микросұлбаларда негізінен n-p-n-транзисторлар пайдаланылады, ал p-n-p-типті n-p-n – типпен бірге пайдаланылады және бұл жұп комплементарлы деп аталады, дискреттік жүйелер үшін негізінен p-n-p-тип қолданылады.