Транзистордың күшейту еселігінің жиіліктен тәуелділігі

Транзистордың инерциялық қасиеттері бар, өйткені тасушылардың базадағы ұшып өту уақыты шектеулі. Төменгі жиіліктерде, заряд тасушылардың базадағы ұшып өту уақыты сигналдың қайталану периодынан аз болғанда, электрондар үлесінің базада таралуы эмиттерден коллекторға қарай бір қалыпты азаяды.

Егер электрондардың базадағы ұшып өту уақыты сигналдың қайталану периодымен бірдей болса, таралу сипаты өзгереді.

Транзистордың кірісіне синусоида тәрізді сигнал берілсін делік. Сигналдың оң жарты толқыны әсер еткенде эмиттерлік өткелдің потенциалдық тосқауылы азаяды да, ЭӨ арқылы өтетін инжекцияланған заряд тасушылардың ағыны көбейеді. Жарты периодтан кейін сигналдың полюсі өзгеріп, ЭӨ потенциалдық тосқауылы жоғарылайды. Егер электрондар эмиттерден коллекторға дейінгі жолдың бір бөлігінен өтсе, онда электрондар үлесінің таралуы өзгереді және заряд тасушылар коллекторға ғана емес кері бағытта да, яғни эмиттерге де инжекцияланады. Ток беру еселігі азаяды. Ток беру еселігі a төменгі жиілікте -мен салыстырғанда есеге (3 дБ) азаятын жиілік - күшейтудің шектік жиілігі деп аталады (5.15-сурет).

5.10 Ығу транзисторы

Ығу транзисторы деп, базадағы қосалқы заряд тасушыларды тасымалдау негізінен электр өрісіндегі ығу процесі негізінде болатын, биполюсті транзисторды айтамыз.

Өріс, эмиттерден коллекторға қарай экспонентамен азаятын, базадағы қоспалардың бастапқы үлесінің әркелкі болуынан туындайды. Мысалы, n-p-n-транзисторда акцепторлық қоспа үлесінің градиенті әсерінен кемтіктер эмиттерлік өткелден коллекторлыққ өткелге қарай диффузиямен беріледі. КӨ маңында кемтіктер есебінен оң зарядтар жиналады, ал ЭӨ теріс иондардың орны толтырылмаған заряды жинақталады. Базада электрондардың эмиттерден коллекторға қозғалысын диффузиямен салыстырғанда 2…5 есе үлкен жылдамдықпен үдететін, электр өрісі Е туындайды. Транзистордың шекаралық күшейту жиілігі 2 - 5 есеге өседі .

Ығу транзисорлары қосарланған диффузия технологиясымен жасалады.

5.1- мәліметтер кестесінде транзистордың үш түрлі қосылу сұлбаларының негізгі параметрлері келтірілген.

5.1 Кесте

Параметрлер	ОЭ	ОБ	ОК
КI	b − ондаған –жүздеген бірліктер		−онадағн − жүздеген бірліктер
КU	ондаған –жүздеген бірліктер	ондаған –жүздеген мыңдықтар
КР	жүздеген бірліктер - онд. мыңдықтар	ондаған – жүздеген	ондаған – жүздеген
Rкір	жүздеген Ом – бірлік кОм	бірлік – жүздік Ом	ондаған – жүздеген кОм
Rшығ	бірлік – ондаған кОм	жүздеген кОм – бірлік МОм	жүздеген Ом
j	π