Транзистордың балама сұлбалары және параметрлер жүйесі

5.8.1 Физикалық Т-тәріздес балама сұлба

5.12-суретте ортақ базалы транзистордың Т-тәріздес балама сұлбасы келтірілген, мұндағы: − базаның активті облысының көлемдік кедергісі (100…400) Ом;

aIЭ – трснзистордың активті қасиеттерін бейнелейтін ток генераторы – эмиттер тогын Iэ коллектор тізбегіне беру эффектісі;

a−эмиттер тогының беріліс еселігі;

rэ− эмиттерлік өткелдің дифференциалдық кедергісі; (ондаған килоом),

әдетте Iэ>>Iэо, онда rэ= . Мысалы, Iэ=1мА болса, rэ=26 Ом; rк – коллекторлық өткелдің дифференциалдық кедергісі, rк = жүздеген кОм; Ск – коллекторлық өткелдің тосқауылдық сыйымдылығы;

Сэ – эмиттерлік өткелдің диффузиялық сыйымдылығы.

5.13-суретте ортақ эмиттерлі Т-тәріздес физикалық балама сұлба келтірілген, мұндағы b ток генераторы Iб база тогының коллектор тізбегіне берілуін бейнелейді.

Коллектор кернеуінің өсімшесі екі өткелге де бөлінгендіктен,

Скэ ¹ Ск; rкэ¹ rк;

5.8.2 Транзисторды балама төрт полюстікпен алмастыру сұлбасы

Биполюсті транзисторларға арналған анықтамалықтарда, әдетте, аз сигналды деп аталатын h-параметрлер келтіріледі. Бұл параметрлер қолдануға өте ыңғайлы, өйткені кез келген қосылу сұлбасында транзистор активті төрт полюстік түрінде келтіріле алады (5.14-сурет), оның кірісінде U1 кернеуі және I1 тогы ағады, ал шығысында – U2 кернеуі және I2 тогы болады. Теңдеулер жүйесі мынандай түрде жазылады

;

.

Теңдеулерге еселіктер ретінде кіретін, берілген h-параметрлер, мынадай физикалық мағына береді

– шығыстағы қысқа тұйықталу кезіндегі кіріс кедергі (айнымалы ток бойынша);

h12 = =0 – кірістегі бос жүріс кезіндегі кернеу бойынша кері байланыс еселігі (айнымалы ток бойынша), шамамен 10-5 төңірегінде, көптеген жағдайларда есептеулерде аздығына байланысты ескерілмейді;

h21 = =0 – шығыстағы қысқа тұйықталу кезіндегі ток беру еселігі;

h22 = =0 – кірістегі бос жүріс кезіндегі транзистордың шығыс өткізгіштігі.

Транзисторлар үшін әдетте a, b еселіктерін емес, олардың бірінші дәрежелі жуық мәніне сәйкес ОБ және ОЭ сұлбалары үшін тиісінше h21б және h21э параметрлерін береді.

ОЭ сұлба үшін h-параметрлердің физикалық параметрлермен байланысы мына түрде болады

h11 = rБ + rЭ∙(1+b);

h12 = rЭ∙(1+b)/rК;

h21 =b;

h22 = .








Дата добавления: 2017-04-20; просмотров: 1059;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.