Транзистордың балама сұлбалары және параметрлер жүйесі
5.8.1 Физикалық Т-тәріздес балама сұлба
5.12-суретте ортақ базалы транзистордың Т-тәріздес балама сұлбасы келтірілген, мұндағы: − базаның активті облысының көлемдік кедергісі (100…400) Ом;
aIЭ – трснзистордың активті қасиеттерін бейнелейтін ток генераторы – эмиттер тогын Iэ коллектор тізбегіне беру эффектісі;
a−эмиттер тогының беріліс еселігі;
rэ− эмиттерлік өткелдің дифференциалдық кедергісі; (ондаған килоом),
әдетте Iэ>>Iэо, онда rэ= . Мысалы, Iэ=1мА болса, rэ=26 Ом; rк – коллекторлық өткелдің дифференциалдық кедергісі, rк = жүздеген кОм; Ск – коллекторлық өткелдің тосқауылдық сыйымдылығы;
Сэ – эмиттерлік өткелдің диффузиялық сыйымдылығы.
5.13-суретте ортақ эмиттерлі Т-тәріздес физикалық балама сұлба келтірілген, мұндағы b ток генераторы Iб база тогының коллектор тізбегіне берілуін бейнелейді.
Коллектор кернеуінің өсімшесі екі өткелге де бөлінгендіктен,
Скэ ¹ Ск; rкэ¹ rк;
5.8.2 Транзисторды балама төрт полюстікпен алмастыру сұлбасы
Биполюсті транзисторларға арналған анықтамалықтарда, әдетте, аз сигналды деп аталатын h-параметрлер келтіріледі. Бұл параметрлер қолдануға өте ыңғайлы, өйткені кез келген қосылу сұлбасында транзистор активті төрт полюстік түрінде келтіріле алады (5.14-сурет), оның кірісінде U1 кернеуі және I1 тогы ағады, ал шығысында – U2 кернеуі және I2 тогы болады. Теңдеулер жүйесі мынандай түрде жазылады
;
.
Теңдеулерге еселіктер ретінде кіретін, берілген h-параметрлер, мынадай физикалық мағына береді
– шығыстағы қысқа тұйықталу кезіндегі кіріс кедергі (айнымалы ток бойынша);
h12 = =0 – кірістегі бос жүріс кезіндегі кернеу бойынша кері байланыс еселігі (айнымалы ток бойынша), шамамен 10-5 төңірегінде, көптеген жағдайларда есептеулерде аздығына байланысты ескерілмейді;
h21 = =0 – шығыстағы қысқа тұйықталу кезіндегі ток беру еселігі;
h22 = =0 – кірістегі бос жүріс кезіндегі транзистордың шығыс өткізгіштігі.
Транзисторлар үшін әдетте a, b еселіктерін емес, олардың бірінші дәрежелі жуық мәніне сәйкес ОБ және ОЭ сұлбалары үшін тиісінше h21б және h21э параметрлерін береді.
ОЭ сұлба үшін h-параметрлердің физикалық параметрлермен байланысы мына түрде болады
h11 = r’Б + rЭ∙(1+b);
h12 = rЭ∙(1+b)/rК;
h21 =b;
h22 = .
Дата добавления: 2017-04-20; просмотров: 1059;