Реальні елементи з негативною диференціальною

провідністю

Серед різних активних елементів зустрічаються такі, у яких на їх вольтамперних характеристиках існують ділянки з негативною диференціальною провідністю.

Прикладом такого елементу може бути обернено-зміщений перехід. При тепловому пробої такого переходу на його вольтамперній характеристиці може виникнути ділянка з негативною диференціальною провідністю (рис.1.4), котру можна використати для генерації високочастотних коливань. Цей ефект спостерігав ще у 1922 р. російський винахідник Лосєв, який запропонував перший напівпровідниковий автогенератор, названий ним “кристадином”.

Класичним прикладом пристрою з НДП є тунельний діод, який має вольтамперну характеристику подібну до зображеної на рис.1.1. Оскільки НДП тунельного діоду дуже велика, він звичайно підключається до коливного контуру автотрансфоматорно, так щоб еквівалентний опір між точками “b” i “o” перевищував не більше як в 1,5 - 3 рази (рис.1.5). Якщо буде більше цієї величини, то амплітуда коливань виходить за межі ділянки з НДП, і форма генерованих коливань стає далекою від синусоїдальної, що вельми небажано.