Вплив температури на характеристики транзистора.

Зворотний струм через закритий перехід дуже сильне залежить від температури і подвоюється через кожні 5 - 10°С. Наслідком цього є те, що малий при кімнатній температурі член у формулі (З. І) при високих температурах може стати сумірним з керованною компонентою , і вся сім’я вихідних характеристик зміститься вгору. До такого ж зсуву може привести і зростання з підвищенням температури.

Для транзистора, увімкненного за схемою СЕ, ці ефекти виражені ще сильніше, оскільки тут роль некерованого струму відіграв величина , яка у разів більша за :

(3.6)

Підвищення температури на кілька десятків градусів може істотно змінити вигляд сім’ї вихідних характеристик транзистора (рис. З. І5).

Із зростанням температури змінюється також і , так що вхідні характеристики зсуваються трохи праворуч. Зсуви вхідних та вихідних характеристик викликають істотні зміни режимів роботи напівпровідникових приладів в радіоелектронних схемах. Це обмежує можливість застосування транзисторів в умовах, коли температура навколишнього середовища може зазнавати значних змін.

Контрольні питання до розділу