quot;Біполярний транзистор".

І. Як у біполярному транзисторі вдається керувати величиною cтруму колектора?

2. Яким повинен бути в-транзисторі знак потенціалу бази відносно емітера?

3. 3. Як відбивається степінь легування емітера та бази на величині коефіцієнта ?

4. З яких міркувань бажано робити товщину бази якомога тоншою?

5. Чому вихідні характеристики біполярного транзистору, увімкненого за схемою СБ, мають невеликий позитивний нахил?

6. В чому полягав ефект Ерлі (ефект модуляції товщини бази)? Як він впливав на хід вхідних характеристик для транзистора, увімкненого за схемою СЕ?

7. Чому вхідні характеристики транзистора, увімкненого за схемою СБ з підвищенням потенціалу колектора зсуваються вліво, а увімкненого за схемою СЕ - вправо?

8, Чому в довідниках для транзистора, увімкненого за схемою СЕ. Наводяться лише дві вхідні характеристики - одна для =0 а друга для великих значень ?

9. Намалюйте вхідні характеристики транзистора, увімкненого за схемою СБ - германійвого та кремнійового. Котрі з них лежатимуть правіше?

10. Коефіцієнт підсилення за напругою для схеми, зображеної на рис.3.8, зростає із збільшенням . До якої величини, на Ваш погляд, доцільно збільшувати опір ?

11. Чи має якісь переваги -транзистор порівняно з -транзистором?

12. Що таке комплементарна пара транзисторів?

ІЗ. Чому в режимі насичення транзистора, увімкненого за схемою СЕ, колекторний струм стає незалежним від струму бази?

14. Чому в транзисторі, увімкненому за схемою СЕ, при =0 колекторний струм залишається значно більшим - зворотного струму колекторного переходу ?

15. Яку напругу треба прикласти, щоб струм колектора у схемі СБ став рівним ?

16. Що таке прохідна характеристика транзистора, увімкненого за схемою СЕ? Яка величина є параметром цих характеристик ?

17. Які зміни відбуваються у сім’ї вихідних характеристик з підвищенням температури транзистора?

18.Чому при увімкненні транзистора за схемою СЕ вплив температури сильніший, ніж при його увімкненні за схемою СБ?

Задачі до розділу.

І. За рис.З.6 оцінити величину диференціального та омічного вхідних опорів транзистора в робочій точці = 0,3 В та =10 В.

2. Для транзистора, увімкненого за схемою СЕ, складіть схему для підсилення сигналів (подібну зображеній на рис.3.8). Вхідний опір транзистора 500 Ом; = 40, навантажувальним опір =2 кОм. Визначте коефіцієнт підсилення за напругою.

3. У схемі, зображеній на рис.3.8, напруга джерела живлення в колі колектора =І6 В. Постійна складова струму колектора 5 мА, =2 кОм. Якою буде постійна напруга , прикладена безпосередньо між колектором та базою транзистора?

4. За характеристиками, зображеними на рис.3.11, визначте вихідний опір транзистора в робочій точці =І5 В; =15 мА. Визначте в цій же точці величину .

5. На підставі характеристик,зображених на рис.3.11 та 3.12, побудуйте прохідну характеристику для =15 В. Визначте її крутість при = 0.22 В.

6. Величина зворотного струму колекторного переходу транзистора подвоюється кожні 10 °С. На скільки зсунуться догори характеристики. зображені на рис.3.11, якщо температура транзистора зросте на 40 °С?