П - р - п транзистор.

Так само, як і розглянутий вище р - п - р транзистор може працювати і біполярнийп - р - птранзистор, схематично зображений на рио.3.9а. Тут емітером і колектором є п області, а базою'- р -область. Полярність джерел живлення , напруги

і струмів відповідно змінюються на протилежні. Всі фізичні процеси, характеристики та параметри вр - п - р та п - р - птранзисторах подібні одні одним. -

Істотною перевагою п - р - птранзисторів є їх мала інерційність порівняно з р - п - р транзисторами, бо за віх інших умов коефіцієнт дифузії електронів є більшим, аніж у дірок, і вони швидше дифундують крізь базу .Промисловістю випускаються як р - п - р, так і п - р - п транзистори, хоч останнім часом виявилась тенденція на користь п - р - птранзисторів . Тому надалі ми розглядатимемо роботу радіоелектронних схем тільки на п - р - птранзисторах. Однак, всі наші міркування будуть цілком справедливі і для схем на р - п - р транзисторах. Умовне позначення п - р - птранзистора дано на рис. 3.96.

Слід зауважити, що деякі типи транзисторів виготовляються у вигляді комплементарних пар. які складаються зп - р - пта р - п - р транзисторів, що мають однакові режими, характеристики і параметри. Такі пари використовують у ряді спеціальних радіоелектронних схем.

3.5. Увімкнення транзистора за схемою із спільним емітером (СЕ/)

Вище ми розглянули увімкнення транзистора за схемою зі спільною базою. Іншим способом увімкнення транзистора, який більш часто використовують у практиці, є .увімкнення за схемою із спільним (СЕ), коли емітер вважають заземленним і потенціали на базі та колекторі відраховуються від нього (рис.З.10).

При такому увімкненні входом транзистора стає база, а вхідними струмом і напругою - відповідно та Застосувавши вираз (З.І) та нехтуючи в ньому покищо некерованою компонентою колекторного струму , можна знайти зв’язок між та .Дійсно, змінивши в (3.2) через близьке до нього за величиною значення , дістанемо

.

Виразимо тепер у явному вигляді колекторний струм через базовий

>>1 (3.4)

Коефіцієнт , який зв’язує ці струми, може набувати вельми високих значень, оскільки близьке до одиниці. Так, наприклад, при =0,98 маємо =50. Таким чином, транзистор, увімкнений за схемою СЕ, є підсилювачем струму, що надає цій схемі значні переваги порівняно зі схемою СБ.

Хоча фізичні процеси у самому транзисторі від способу його увімкнення не змінюються, однак, вигляд вхідних та вихідних характеристик для транзистора, що працює в режимі схеми СЕ істотно відрізняються від характеристик при роботі в режимі схеми СБ. Типовий вигляд вихідних характеристик для випадку увімкнення за схемою із спільним емітером показаний на рис.3.11.

Основні відмінності цих характеристик від вихідних характеристик схеми зі спільною базою такі:

а) Керований колекторний струм значно більший від керуючого базового струму .

б) При малих значенняхвсі характеристики зливаються докупи і струм колектора стає незалежним від струму та напруги бази (втрачається керуюча дія бази). Таке відбувається в режимах, коли напруга на колекторі стае меншою від напруги на базі. Тоді колекторний перехід відкривається і нормальная робота транзистора стає неможливою. Подібний режим роботи називають режимом насичення.

в) В робочій частині колекторних струмів вихідні характеристики мають помітний нахил, .який зростає із збільшенням . Це означає, що диференціальий вихідний опір не дуже великий і має тенденцію до зниження із збільшенням . Звичайно для транзисторів, увімкнених за схемою зі спільним емітером становить 10³ - 10⁴ Ом.

г) При = 0 транзистор не закривається цілком колекторний струм залишається досить великим, хоч у відповідності із формулою (3.4) він повинен був би стати рівним нулю. Зрозуміти це допоможе рис.3.13.

У відсутності базового струму, коли базу можна вважати вимкненою, колекторна напруга розподіляється між переходами 1 і 2 пропорційно їх опорам. При цьому полярність на базово-емітерному переході 1 виходить такою, що цей перехід стає відкритим. Інжекція неосновних носіїв у базу спричиняє появу струму через закритий базово-колекторний перехід 2, і через транзистор тече наскрізний струм = = . Якщо підставити сюди замість вираз (З. І) і прийняти до уваги, що в данному випадку дорівнює також , дістанемо

(3.5)

Оскільки, звичайно, , то вихідний струм при вимкненій базі ( =0) в схемі СЕ виявляється значно більшим за вихідний струм в схемі СБ при закритому (чи вимкненому) емітері. Для того щоб дійсно закрити транзистор потрібно подати на його базу від’ємну напругу порядку вольта, яка закрила б емітерно-базовий перехід. Тоді струм колектора стане рівним ; таким же, але з протилежним знаком, буде і струм бази.

Вхідні характеристики зображені на рис.3.12. Так само, як і подібні їм характеристики, зображені на рис.3.6, вони починаються при відмінній від нуля напрузі , яка становить 0,1-0,2 В для германієвих та 0,5-0,7 В для кремнієвих транзисторів. В міру того як зростає колекторна напруга, струм бази, внаслідок ефекту модуляції її товщини, зменшується і вхідні характеристики зсуваються праворуч. Причина тут досить ясна - при меншій ефективній товщині бази. зменшується кількість актів рекомбінації неосновних носіїв і отже, зменшується базовий струм.

Звичайно у довідниках наводяться лише дві вхідні характеристики: одна для = 0 і друга - для досить великого значення ; ця характеристика є граничною для всієї сім’ї. Диференціальий вхідний опір транзисторів, увімкнених за схемою СЕ має порядок 10² - 10 ³ Ом.

Окрім вхідних та вихідних характеристик для аналіза роботи і розрахунку радіоелектронних схем часто буває корисною прохідна (передавальна) характеристика, яку можна визначити як залежність колекторного струму від вхідної напруги при заданій колекторній напрузі (рис.3.14). Вона будується на основі вхідних та вихідних характеристик шляхом включення базового струму.

За виглядом прохідна характеристика подібна до вхідної: вона починається при напрузі і далі зростає майже експоненціально. Коли напруга не дуже велика, зростаюча ділянка прохідної характеристики може змінитися горизонтальною (пунктир), що відповідає режиму насичення транзистора.

Похідна має назву крутості транзистора і показує ефективність керуючої дії вхідної напруги .