Метод скользящего отражения.

По мере увеличения угла падения луча возрастает глубина его проникновения и связанное с нею поглощение. Это обстоятельство можно использовать для исследования очень тонких поверхностных слоёв (рис. 16). Эффективная длина пути l излучения, проникающего в среду с толщиной слоя d, равна:

l = 2d/cos a . (3)

Для углов падения >85°, когда величина cos a быстро приближается к нулевому значению, любое увеличение угла падения вызывает увеличение глубины проникновения и, следовательно, приводит к усилению поглощения в отражённом излучении.

Технику скользящего отражения используют для исследования тонких слоёв на гладкой отражающей поверхности. Эта методика особенно удобна для регистрации спектров поверхностей с толщиной слоя примерно от 0,1 до 10 мкм. Такие исследования необходимы в производстве покрытий и полупроводников, для исследования тонких плёнок на отражающей металлической поверхности.

Толщину эпитаксиального слоя на полупроводниковых материалах можно легко определить по спектру интерференции такого слоя (рис. 17). Для этого слой не должен быть тоньше длины волны и не толще 50-кратной длины волны используемого излучения.

Если в качестве отражающей подложки используется вода, то методом скользящего отражения можно изучать мономолекулярные слои на границе раздела вода–воздух. Такие вещества как мыло, масло, жиры образуют на поверхности воды мономолекулярную плёнку, в которой гидрофильная часть молекул ориентирована в сторону воды. Гидрофобная же часть состоит обычно из CH₂-звеньев и отталкивается водой. Данным методом можно исследовать эти вещества на расположение указанных фаз.