Конструкции V–МДП–транзисторов.

Все рассмотренные ранее МДП–транзисторы имеют планарную конструкцию, тюею являются двумерными. V–МДП–технология добавляет в конструкцию МДП–транзисторов третье измерения, позволяя формировать исток прибора под его затвором и стоком, а не рядом сними. Это третье измерение дает V–МДП–приборам преимущества как по быстродействию, так и по плотности упаковки перед такими структурами, как n–канальные МДП–приборы с кремниевыми затворами.

Собственно говоря, термин “V–МДП–транзистор” относится к МДП–приборам, в которых буква V обозначает, во–первых, вертикальное направление протекания тока от расположенного в подложке истока к расположенного над нин стоку и, во–вторых, способ формирования приборов селективным вытравливанием в исходной заготовке углубления V–образного сечения. V–МДП–трангзистор получают на боковых стенках этого углубления. Особо следует отметить, что n+–исток, расположенный под n+–стоком, вообще не требует для своего формирования дополнительной площади на поверхности пластины, что обуславливает компактность V–МДП–структуры. Кроме этого, истоковая область n+–типа и эпитаксикальный слаболегированный р–слой, диффузионно–легированный пслой, достигнув вершиной высоколегированной подложки п+–типа. Сечение р–слоя служит основой для формирования канала. Этот слой имеет глубину менее 1 мкм, его сечение плоскостями V–образного углубления определяет длину V–МДП–транзистора. Ширина канала в V–МДП транзисторе получается большой, так как этот канал расположен по всему периметру V–образного углубления. Поскольку ширина канала определяет максимальный ток транзистора и его усилие, постольку V–МДП–транзисторы можно непосредственно сопрягать с системами, требующих больших управляющих токов.

Слой подзатворного диэлектрика формируется на поверхности V–образного углубления (рис. 22). В качестве материала затвора применяют алюминий либо поликремний. Область объемного пространственного заряда выполняют в V–МДП–транзисторе ту же роль, что и обедненная область пространственного заряда в Д–МДП–транзисторе: увеличивает пробивное напряжение транзистора, дает пониженные значения паразитной емкости Сзс.

Трехмерность V–МДП–транзисторной структуры является фактором существенного повышения плотности упаковки БИС.

В связи с низким выходом годных и ограниченных логическими возможностями перспективы создания V–МДП–БИС невелики. Но такие структуры обладают уникальными способностями управления очень большими токами с высокой скоростью их переключения. Они нашли применение в звуковых высококачественных усилителях мощности, в щироко полосных усилителях, в источниках вторичного электропитания для преобразования постоянного тока в переменный при меньших затратах, массе и габаритных размерах, чем традиционные источники питания.








Дата добавления: 2016-01-07; просмотров: 1794;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.