Статические характеристики в схеме ОБ
В схеме с ОБ (см. рис. 3.3,а) входным током является ток эмиттера iЭ, а выходным - ток коллектора iК, соответственно, входным напряжением является напряжение uЭБ, а выходным - напряжение uКБ.
Входная характеристика в схеме ОБ представляет собой зависимость
.
Однако, реально в справочниках приводится обратная зависимость
.
Семейство входных характеристик кремниевого n-p-n-транзистора приведено на рис. 3.20. Выражение для идеализированной входной характеристики транзистора в активном режиме имеет вид:
Следует отметить, что в выражении (3.35) отсутствует зависимость тока iЭ от напряжения на коллекторном переходе uКБ. Реально такая зависимость существует и связана она с эффектом Эрли. Как показано в п. 3.3, при увеличении обратного напряжения uКБ. сужается база транзистора , в результате чего несколько увеличивается ток эмиттера iЭ. Увеличение тока iЭ с ростом uКБ. отражается небольшим смещением входной характеристики в сторону меньших напряжений | uЭБ. | - см. рис. 3.20. Режиму отсечки формально соответствует обратное напряжение uЭБ.>0 , хотя реально эмиттерный переход остается закрытым ( iЭ » 0) и при прямых напряжениях | uЭБ| меньших порогового напряжения.
Выходная характеристика транзистора в схеме ОБпредставляет собой зависимость
.
Семейство выходных характеристик n-p-n-транзистора приведена на рис. 3.21. Выражение дляидеализированной выходной характеристики в активном режиме имеет вид: iК =a · iЭ+ IКБ0. (3.36)
В соответствие с этим выражением ток коллектора определяется только током эмиттера и не зависит от напряжения uКЭ. Реально (см. рис. 3.21) имеет место очень небольшой рост iК при увеличении обратного напряжения uКБ, связанный с эффектом Эрли. В активном режиме характеристики практически эквидистантны (расположены на одинаковом расстоянии друг от друга), лишь при очень больших токах эмиттера из-за уменьшения коэффициента передачи тока эмиттера a эта эквидистантность нарушается, и характеристики несколько приближаются друг к другу. При iЭ= 0 в цепи коллектора протекает тепловой ток ( iК= IКБ0). В режиме насыщения на коллекторный переход подается прямое напряжение uКБ, большее порогового значения, открывающее коллекторный переход. В структуре транзистора появляется инверсный сквозной поток электронов, движущийся из коллектора в эмиттер навстречу нормальному сквозному потоку, движущемуся из эмиттера в коллектор. Инверсный поток очень резко увеличивается с ростом Ѕ uКБ.Ѕ , в результате чего коллекторный ток уменьшается и очень быстро спадает до нуля - см. рис. 3.21.
Дата добавления: 2015-08-11; просмотров: 629;