Составляющие токов транзистора

Рассмотрим транзистор, включенный по схеме с ОБ (рис 3.9). Во внешних цепях транзистора будут протекать токи i_Э, i_К, i_Б. За положительные направления токов примем указанные стрелками (они совпадают с физическими направлениями токов в активном режиме). Внешние напряжения u_ЭБ и u_КБ , как и ранее, будем отсчитывать от общего электрода (в данном случае - базы). Кроме того , введем напряжения на переходах транзистора u_ЭП - на эмиттерном переходе, u_{КП -} на коллекторном. Эти напряжения будем считать положительными, если они прямые ( “+” приложен к p- области, а “-” к n-области) и отрицательными, если они обратные.

Для рассматриваемого n-p-n-транзистора в схеме с ОБ u_ЭП= - u_ЭБ = u_БЭ и u_КП = - u_КБ . Для p-n-p-транзисторов: u_ЭП= u_ЭБ , u_КП = u_КБ Использование понятий напряжений на переходах позволяет получить одинаковые формулы для n-p-n- и p-n-p-транзисторов.
Как было показано в предыдущей главе, каждый ток содержит различные составляющие; для удобства сгруппируем их следующим образом:

1. Выделим единственную полезную составляющую, обусловленную переносом электронов из эмиттера в коллектор. Назовем ее током связи i_Э-Кк ( направление тока на рис. 3.9 обратно направлению движения электронов).
2. Дырочные токи переходов и токи, обусловленные рекомбинацией в базе, объединим в дополнительные токи эмиттерного i _эд и коллекторного i _кд переходов. Эти токи замыкаются каждый через свой переход и не могут передаваться из эмиттера в коллектор. Таким образом, наличие дополнительных токов приводит только к потерям энергии.

Полные токи транзистора могут быть представлены в виде:

(3.1)

Вредные дополнительные токи переходов мало изменяют токи i_Э и i_К ( на 1 - 3 %), однако именно они определяют ток базы.