Полевые транзисторы. Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления канала поперечным электрическим полем.

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления канала поперечным электрическим полем.

Физические основы работы полевого транзистора с затвором в виде p-n перехода:

Исток - канал, через который электроны попадают в транз..

Сток - канал, через который электроны уходят из транз.

p-n переход смещен в обратном направлении

Напряжение вдоль перехода меняется (0¸10 В)

­ U_СИ Þ ­ I_С (по зак. Ома)

Þ ­ |U_ЗИ| Þ ­ S_p-n Þ ­ S_K Þ ­ R_K Þ ¯ I_C

U_ЗО - напряжение затвора отсечки (ток исчезает через канал).

I область - область крутых характеристик

II область - область пологих характеристик

Не используется характеристика:

U_ЗИ = f (I_З), т.к. теряются управляющие свойства.

Используется проходная характеристика (связывает вход и выход):

Параметры характеризующие полевой транзистор:

1. Вход - U

2. Выход - I

3. Параметр размерности проводимости

Крутизна (в каждой точке как касательная к ней):

4. Дифференциальное сопротивление канала:

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Реализуются на основе следующей структуры:

Отсюда и название: МДП (или МОП)

Если приложить переменное направление, то эта структура будет вести себя как конденсатор.

2 вида:

1. со встроенным каналом

2. с индуцированным каналом