Работа транзисторов с нагрузкой
- уравнение нагрузочной прямой (линии нагрузки)
Линия нагрузки - линия перемещения рабочей точки на выходе транзистора.
IБ Þ IК Þ URК Þ ¯ UКЭ Þ ¯ DIК
Рабочая точка - точка с текущими координатами (напряжение и ток на выходе).
I область - активная область.
Если рабочая точка в этой области, эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный - в обратном, входной и выходной ток связаны однозначной прямо пропорциональной зависимостью, то есть говорят, что транзистор сохраняет управляемость.
II область - область отсечки.
Смещение обоих переходов в обратном направлении. Транзистор потерял управляемость по входу.
III область - область насыщения.
IБ Þ IК Þ URК Þ EК
- ток коллекторного насыщения
- ток коллекторного насыщения
IБ > IБ н , но Iк не изменился, Þ транзистор потерял управляемость по входу.
Смещение обоих переходов в прямом направлении. Транзистор превращается в точку:
3 режима:
· активный (для транзисторов в усилительных устройствах)
· насыщения (для транзисторов в импульсных устройствах)
· отсечки (для транзисторов в импульсных устройствах)
Иногда нагрузка подключается так:
С имеет место на переменном сигнале (на постоянном сигнале C замыкается)
Линия нагрузки в этом случае:
Закорачиваем EК:
RК || RН = Rэквивалентное - определяет наклон линии нагрузки
Если есть только Uвх_; Iоб - ток покоя базы.
Есть статическая и динамическая линия нагрузки:
· статическая - для выбора режима работы транзистора
· динамическая - для расчета усилительной схемы (max амплитуда выходного сигнала)
Если транзистор без нагрузки:
Линия нагрузки на выходе:
· Для схемы с ОЭ
· Для схемы с ОБ
Символьное обозначение транзисторов:
D B1 X1 X2 X3 B2
D - материал (цифра, буква)
B1 - подкласс тиристоров
B1 Î {Т, П}
Т - биполярные
П- полевае
X1 - цифра, определяющая основные функциональные возможности.
Обозначение | Мощность Pдоп | f гр, Мгц | ||||
£ 3 | £ 30 | >30 | 30¸300 | >300 | ||
Шестизначные | £ 0,3 Вт 0,3 ¸ 1,5 Вт > 1,5 Вт | |||||
Семизначные | £ 1 Вт > 1 Вт |
X2 X3 {X4} - порядковый номер разработки технологического типа транзистора.
В2- определяет классификация по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Запрещены буквы: З,О,Ч,Ы,Щ,Ь,Ъ,Э.
Дата добавления: 2015-08-08; просмотров: 900;