Динамические ОЗУ.

Ячейка динамической ОЗУ на 1 бит (на МОП-транзисторах).

В отличие от статических ОЗУ, у которых запоминающим элементом является триггер на биполярных или полевых транзисторах, у динамических ОЗУ запоминающим элементом является конденсатор, который представляет собой паразитную емкость между затвором и истоком транзистора VT2. Поскольку на затвор подается обратное напряжение порядка 1000 в, то входное сопротивление такого трансформатора представляет величину 10 Мом, что эквивалентно сопротивлению конденсатора. По линии выбора адреса ячейки памяти подается сигнал логической единицы, поэтому затворы VT1, VT3 открывают эти приборы. Транзистор VT1 выполняет функцию включателя, транзистор VT3 – функцию сопротивления нагрузки. При подаче на вход данных в виде логической 1 транзистор VT2 отпирается и паразитная емкость С заряжается до величины этого напряжения, т. е. хранит логическую единицу. Если сигнал на вход не поступает, то С не заряжен и хранит логический нуль. Поскольку VT3 открыт, то логическая единица конденсатора поступает на выход (шина данных).

Достоинства:

- на той же площади кристалла размещается больше бит информации (тут 3 VT, а там 6), следовательно, эти схемы дешевле.

- по сравнению со статическими ОЗУ потребляемая мощность меньше.

Недостатки:

- через сопротивление изоляции между затвором и истоком транзисторов VT1 и VT2 постоянно происходит разряд конденсатора, поэтому с интервалом в 2 мкс необходимо подзаряжать конденсатор, этот процесс называется регенерацией данных.

Динамические ОЗУ для надежного хранения информации требуют дополнительного блока регенерации данных, поэтому если объем динамических ОЗУ маленький, то стоимость блока регенерации «съедает» положительный эффект, который получен размещением большего объема информации. Поэтому динамические ОЗУ применяют: в схемах, хранящих большой объем информации.