Статические ОЗУ.

Статические ОЗУ могут выполняться на биполярных транзисторах (рис.1) или на МОП-транзисторах (рис.2).

По линии выбора адреса всегда поступает нулевой сигнал. Если на входе SET тоже 0, то будет полным, в результате Q=0. Этот потенциал подается на базу VT2, который закрыт, его и потенциал на . Такое состояние сохраняется до тех пор, пока не поступят новые сигналы на S и R.

Транзисторы VT3 и VT4 выполняют функции нагрузочных регистров . Транзисторы VT5 и VT6 играют роль входных вентилей – ключей. По линии «выбор адреса ячейки памяти» поступает сигнал логической единицы, тогда VT5 и VT6 открыты. Если S=0 и R=0, то на затвор VT2 подана единица, а на VT1 – 0. VT2 пропускает ток, на его выходе будет 0 ( ), тогда Q=1.

Достоинство схемы 1 – высокое быстродействие, поэтому она применяется, когда требуется большая скорость срабатывания. Недостатки – более дорогой технологический способ изготовления или более высокая стоимость такого типа ЗУ.

В схеме 2 вес наоборот, поэтому она более распространена из-за дешевизны. Ее главным достоинством является то, что не требуется никаких блоков регистрации данных для поддержания записанной в памяти информации.