Принцип действия транзистора

Рассмотрим на примере p-n-p транзистора.

Токи через переход БЭ и КЭ отсутствуют (наличие запирающих слоев).

Пусть , ( и - закорочены). >>

Включим источники ЭДС и .

Потенциальный барьер на эмиттерном переходе уменьшится, так как полярность приложенного к нему напряжения – прямая ток диффузии через эмиттерный переход увеличится.

На коллекторном переходе полярность обратная потенциальный барьер коллекторного перехода увеличится.

Почти все дырки подошли к коллекторному переходу дырки будут втягиваться в коллектор (так как напряженность электрического поля коллекторного перехода будет «втягивающей»).

, где - коэффициент передачи тока эмиттера. ( )

Часть дырок рекомбинирует в базе нейтральность базы нарушается возникает ток электронов в

базу.