Будова сплавних транзисторів

Транзистор – це монокристал НП з двома або більше - переходами. На рисунку 3.1 схематично показано будову БТ - - та - - - типів та їх умовне графічне позначення.

Рисунок 3.1 – Умовне схематичне і графічне позначення БТ

Принцип дії транзисторів однаковий для обох типів провідності. Відміна полягає лише в полярності джерел зовнішніх напруг і в напрямі протікання струмів через електроди. Тому надалі будемо розглядати тільки транзистори - - - типу, вважаючи усі висновки щодо них справедливими і для транзисторів - - - типу.

Середня область БТ називається базою. - область, що відділена від бази - переходом з меншою площею, називається емітером, а сам перехід називається емітерним переходом (ЕП). Аналогічно до цього, крайня справа - область називається колектором, а перехід між ним та базою– колекторним переходом (КП).

Спосіб виготовлення сплавних малопотужних БТ низької частоти полягає у такому. До пластини германію -типу з малим питомим опором ( Ом см) з двох боків притискують два шматочки індію. Потім пластину поміщають у піч, в якій створюється вакуум до 0,013 Па, і підвищують температуру. Індій розплавляється, розчи­няється із сусідніми шарами германію і під дією сил поверхневого натягу набирає форми сферичного сегмента (рис. 3.2).

Рисунок 3.2 – Будова сплавного БТ

Площа розплавленого індію визначає активну площу - переходу. Після цього здійснюється охолодження всієї конструкції з постійною швидкістю зміни температури. Внаслідок цього відбувається рекристалізація областей. Шари германію, розчинені з індієм, мають у своїй кристалічній структурі тривалентні атоми акцепторних домішок і набувають провідності -типу. Ці -області відокремлюються від пластини -типу двома різними - переходами. Менша з акцепторних областей, як правило, використовується як емітер, більша – як колектор. Середня область з провідністю -типу виконує функцію бази. Частина бази, що знаходиться безпосередньо між емітером та колектором, через яку проходять носії, називається активною. До областей емітера та колектора припаюють нікелеві дротики, які утворюють не випрямні контакти з індієм і відіграють роль виводів. Гнучкий вивід бази, припаяний до пластини германію, з’єднують з герметизованим металевим корпусом. Виводи емітера і колектора зварюють з гнучкими металевими стрижнями, які ізольовані від корпусу за допомогою скляних вставок.

При виготовленні транзистора здійснюються умови , , тобто враховується, щоб концентрація дірок в областях емітера й колектора значно перевищувала концентрацію електронів у базі. Крім того, ширина активної області бази має бути меншою від дифузійної довжини дірок: .