Билет З3.

1. Входные характеристики транзистора в схемах с общей базой и с общим эмиттером. Схема включения биполярного транзистора с общим коллектором.

Входные характеристики транзистора с ОБ:

Входные характеристики близки к зависимости единичного p-n-перехода. При увеличении по модулю Uкб происходит смещение характеристик влево, обусловленное эффектом модуляции толщины базы. U увеличивается, grad концентрации увеличивается => Iэ пропорционально dp/dx. Если exp=0. для входных характеристик вводится дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода .

Входные характеристики транзистора с ОЭ:

При Uкэ=0 оба перехода смещены в прямом направлении. Входная характеристика соответствует прямой ветви ВАХ двух параллельно включенных p-n-переходов. . При подаче обратного Uкэ Iэ>Iб. Ввиду увеличения Iэ увеличивается и падение напряжения на эмиттерном переходе, характеристики смещаются вправо. В токе Iб присутствует составляющая Iк0, поэтому при Uкэ≠0 характеристики смещаются вниз (Iэ=0, Iб=Iкэ0)

Схема транзистора с ОК:

В схеме с ОК через малое внутреннее сопротивление источника питания Е2 (?) соединен с общей шиной. Источники Е1 и Е2 – источники постоянного напряжения, обеспечивают заданный режим по постоянному току. Входные сигналы малого переменного напряжения создаются из точки Uвх. Они изменяют Iэ и соответственно Iк, что изменяет и падение напряжения. Это U является выходным.

Вход – Iб, выход – Iэ. Uвх=Uвых+Uэб. Uвых < Uвх, отсутствует усиление по U. - коэффициент передачи по току.Поскольку Iэ и Iк отличаются незначительно, то выходные характеристики с ОК имеют такой же вид, что и с ОЭ.