Схемы с ОБ

Инерционность процессов в транзисторе определяется следующими параметрами:1)пролет инжектированных носителей через базу. 2)перезаряд барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного перехода. ((3)установление необходимых концентраций.

Дырки доходят до К с разными скоростями, поэтому экспоненциальная зависимость.

коэффициент передачи эмиттерного тока. (( Связь между током эмиттера и током коллектора нелинейна=> -нелинейная функция(зависит от времени)?)) Iк = αIэ- стац-й режим.

Iк =α(t)iэ-перех режим; α(t)-переходная хар-ка коэф-та α

((Определим амплитудную и частотную характеристику. С общей базой.

2. Каскады сдвига потенциальных уровней в аналоговых усилительных интегральных схемах.