Каскады сдвига потенциального уровня.

Назначение- устранение постоянной составляющей, поступающей на вход очередного усилительного каскада.

Рассмотрим схемы осн. Потенциального сдвига уровней:

транзистор, включенный по схеме с ОБ.

его характеристика.

Для более точной работы эмиттерного повторителя вставляются источник тока-

Т.к. Iэ задается источником тока, то IэРэ=const. Если ∆U надо увеличить, то можно поставить дополнительные диоды (переходы), в качестве таких диодов интегрированные транзисторы с общим включением.

Uвых=Uвх-Uбэ-nUg-I₀R₀

Uвых=Uвх-(n+1)Iбэ-I₀R

3. Какое включение транзисторов наиболее распространено для создания интегральных диодов?

Интегральные диоды.Любой из р-n - переходов планарно-эпитаксиальной структуры может быть использован для формирования диодов, но только переходы база - эмиттер и база - коллектор действительно удобны для схемных применений. Имеется пять возможных вариантов диодного включения интегрального транзистора: а - переход база - эмиттер с коллектором, закороченным на базу; б - переход коллектор - база с эмиттером, закороченным на базу; в - параллельное включение обоих переходов; г - переход база - эмиттер с разомкнутой цепью коллектора; д - переход база - коллектор с разомкнутой цепью эмиттера

Оптимальными для ИМС вариантами включения являются БК - Э и Б - Э, причем чаще используется БК - Э. Пробивные напряжения (7 - 8 В) достаточны для использования этих вариантов в низковольтных ИМС.