Характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ.

В зависимости от того, какой электрод считают общим для входных/выходных напряжений, различают несколько типов схем:

Схема с Общей Базой:

Рассмотрим ВАХ с ОБ:

Для этой схемы заданными величинами являются i_Э и Uкб. Рассмотрим формулы (3.14)-разрешим относительно Iк:

- выходная ВАХ транзистора (3.16)

- входная ВАХ транзистора (3.17)

Все делается для p-n-p-транзистора.

Выходные характеристики транзистора ( идеализированного):

Н – область, соответствующая режиму насыщения транзистора;

А – область активного режима;

Т – линия допустимой Pмах, гипербола (активный режим);

1 – отклонение происходящее за счет эффекта модуляции базы;

«0» - область соответствующая режиму отсечки.

Режимы: 1)U_КБ >0 – режим насыщения; 2) активный режим; 3) режим отсечки

Рассмотрим активный режим (А):

Uкб<0

Iко = Iкбо тепловой ток примерно равен обратному току

С учетом этих условий, формулы (3.16) и (3.17) имеют вид:

(3.18) (3.19)

Из них следует, что U_КБ не влияет ни на I_К , ни на U_Э , т.е. эти характеристики явл-ся эквидистантными и параллельными оси абсцисс

Рассмотрим режим насыщения (Н):

I_К ≈αI_Э

Для того, чтобы Iк ↓ до 0 нужно К переход сместить в прямом направлении, тогда поток дырок, инжектируемых коллектором будет направлен навстречу потоку дырок дошедших до Э через Б и результирующий ток Iк будет равен 0.

((Область насыщения – второй квадрант, т.к. Uкб=Uвнеш +∆φ(контакта). Если Uвнеш=0, дырки все еще переходят. Когда

Uвнеш = -∆φ(контакта), т.е. скомп. ∆φ при изменении на «+» знака Uкб

Рассмотрим режим отсечки (О):

Оба перехода в обратном направлении. Iк и Iэ направлены в противоположные стороны и I_К в этом режиме при

будет подобен обратной хар-ке обычного p-n- перехода.

Активный режим исп-ся в усилительных схемах, а режимы Н и О характерны для ключевых схем.

2. Дифференциальный усилительный каскад. Синфазные и дифференциальные параметры. Коэффициент усиления