Интегральные активные элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем.
Основным активным элементом
полупроводниковых интегральных схем является n-p-n-транзистор, под него подстраивается вся технология.
n+-слой введён для улучшения сопротивления области конденсатора. Без него ток течёт, значит в исходную р-пластину вводятся р+ слой, затем n эпитаксиальный слой, потом акцепторы, или создаём изолированные карманы и область р-базы. Затем донорная примесь-эмиттер. Ток течёт через область с низким сопротивлением®потери уменьшаются.
Характерной особенностью интегрального n-p-n тр-ся является появление в его структуре паразитного p-n-p транзистора, этот транзистор увеличивает ёмкость коллекторного перехода и увеличивает токи утечки через подложку.
Коэффициент утечки-низкий.
В случае изоляции диэлектрическими плёнками паразитный транзистор отсутствует.
Дата добавления: 2015-02-28; просмотров: 969;