БИЛЕТ № 28

1. Полупроводниковые диоды, классификация. Выпрямительные низкочастотные диоды, особенности германиевых и кремниевых диодов. Температурные диапазоны работы.

Полупроводниковые диодыДиод - электропреобразованный прибор содержащий 1 или несколько эл-ких переходов и имеющий 2 внешних вывода. Эл-ие переходы могут быть к п/п с различным типом проводимости p-n металл-п\п диод-п\п или с одинаковым типом но разным значением: p-i. П\п нелинейный 2х полюсник :I=I₀(e^U/фT-1) п\п могут разделятся по принципу действия по назначению по материалу и тд

Маркировка п\п приборов состоит из :1. Г,1-германии; К,2-кремний ;А,3-арсенид; И,4 индий;

2. Д-выпримительный импульсный, Ц-выпримительные столбы, В-варикап, И- туннельные диоды, А-СВЧ диоды, С-стабилитрон, Г-генератор шумов, Л-излучающий О-оптопары 3, эксплуатационные признаки или возможности (рассмотрим класс Д): 1. <0.3A, 2. 0.3< I< 10, 3. I >10A, 4. 500>tвост. >150, 5. tвост. >500нс, 4порядковый номер разработки от 01-995классификация приборов в пределах серии. Выпрямительные диодыПредназначены для выпрямления переменного тока в постоянный быстродействию и емкости которых а также др. параметрамне применяются. -Максимальное допустимое обратное напряжение U_{обр max},напряжение которое выдержит диод без разрушения; -Средний выпрямительный ток I_{ср пр.} это среднее значение тока за период; -Средний обратный ток; -Среднее значение переменного U на диоде при протекании среднего значения I. U_{пр ср}; - Средняя рассеваемая мощность Р_ср; -Дифф сопротивление; -Рабочий температурный диапазон. Выпрямительные диоды либо кремневые либо германиевые мощность определяется площадью перехода которая зависит от плотности тока. jSi=200A/cm² jGe=100 A/cm² (рис2 ВАХ крем. и герм. диода)

Рассмотрим недостатки: у Ge диода малое прямое падение напряжения которое опр. высотой потенциального барьера который опр. шириной запрещенной зоны -единственное преимущество Ge диода перед Si. Обратное допустимое значениеU у Si значительно выше чем у Ge оно так же опр шириной запрещенной зоны. Запрещенная зона Si>Ge. Пробой у Si диодов носит лавинный характер тем-ый коэф. Положительный. Чем выше тем-ра тем больше электрон должен разгонятся для не обходимого соударения. У Ge диодов пробой начинается как лавинный но затем в связи с резким увеличением теплового переходит в тепловой пробой. Тепловой режим работы у Si-125С у Ge-75C при увеличении тем-ры возрастает тепловой ток следовательно вентильные св-ва ухудшаются. Нижний тем-ый диапазон опр тем что ухудшаются условия ионизации и возникают проблемы с согласованием тем-го коэф. с расширением корпуса. С увеличением температуры высота потенциального барьера уменьшается. Поэтому ВАХ смещ. В область меньших прямых напряжений. При уменьшении температуры потенциальный барьер и обратное напряжение увеличивается.

2. Выходные каскады усилительных интегральных схем. Классы (режимы) усиления А, В, АВ, С, D. Передаточные характеристики.

На листочках см( найди про класс D в инете)

3. Что характеризует крутизна характеристики полевого транзистора?