Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный или p-n переход – это переходный слой между двумя облостями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая p-типа. p-n переход создается в монокристалле полупроводникового материала внедрением в него соответствующих примесей. Предположим для простоты рассмотрения, что в какой-то момент создан электрический контакт между электронным и дырочным полупроводниками. На границе возникнут диффузионные потоки основных носителей заряда: электронов из n- в p-область и дырок из p- в n-область. Электроны, попадая в p-область, рекомбинируют (взаимно уничтожаются) с дырками, то же происходит в тонком слое вблизи границы p- и n-областей. В результате этот слой оказывается свободными носителями заряда. Также рекомбинация приводит к тому, что отрицательный заряд неподвижных ионов со стороны p-области не уравновешивается положительным зарядом дырок, так как часть из них прорекомбинировала, и образуется отрицательный объемный заряд. Аналогично со стороны n-области создается положительный объемный заряд неподвижных ионов доноров. Объемные заряды на p-n переходе создают двойной электрический слой (рис. І) и, следовательно, внутреннее электрическое поле, которое ротиводействует процессу диффузии основных носителей заряда.