Методи вирощування кристалів

Вирощування монокристалів можливе як із використанням монокристалічних приманок, так і спонтанно. Зростання кристалів на приманках однойменного матеріалу називають гомоепітаксіальним, на інших відповідних за кристалографічними параметрами поверхнях – гетероепітаксією. Основними методами є такі:

Вирощуванняізрозчинув розплав(раптовакристалізація)

У якості легкоплавких флюсів використовують зазвичай PвO (886^oC), PbF₂ (824), B₂O₃ (450), Bi₂O₃ (817), V₂O₅ (670) та ін. Кристалізація відбувається при охолодженні нижче точки насичення. Основною перевагоюметоду є те, що кристалізацію можна проводити значно нижче за температуру плавлення отримуваного матеріалу. Недоліками є: забруднення елементами флюсу, необхідність у дуже точному регулюванні температури, використання дорогих платинових та ін. матеріалів тиглів.