Основные параметры МДП-транзисторов
1.Удельная емкость затвор-полупроводник - определяет степень модуляции проводимости канала
C0= .
2.Пороговое напряжение:
UП=UПЗ+U0,
где UПЗ- напряжение плоских зон;
U0- напряжение изгиба зон.
3.Крутизна: S= .
4.Внутреннее сопротивление
RC= .
5.Коэффициент усиления
K= . K=SRC K=50-200.
Полевые транзисторы с управляющим
P-n-переходом
Структура такого транзистора показана на рис. 6.8. На подложке p-типа формируется эпитаксиальный n-слой, в котором методами диффузии создаются области истока, стока n+ -типа и затвора p+-типа. Управляющий p-n-переход образуют области p+ и n. Токопроводящим каналом является эпитаксиальный слой n-типа расположенный между затвором и подложкой. При работе транзистора управляючий p-n-переход должен быть включен в обратном направлении.
Глубина обедненного слоя управляющего p-n-перехода тем больше, чем больше обратное напряжение на затворе. Толщина канала будет также соответственно меньше. Следовательно с изменением обратного напряжения будет меняться поперечное сечение канала, а следовательно и его сопротивление. При наличии напряжения между стоком и истоком изменяя обратное напряжение на затворе можно управлять выходным током транзистора.
Входным током транзистора является обратный ток p-n-перехода, составляющий для кремниевых приборов 10-9-10-11 А.
На сток транзистора подается положительное напряжение. P-n-переход между эпитаксиальным n-слоем и подложкой включается в обратном направлении, поэтому к подложке прикладывается отрицательное относительно истока напряжение. Иногда подложка используется в качестве второго затвора. В некоторых транзисторах подложка соединяется с затвором и не имеет отдельного вывода.
Статические выходные и передаточные характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом показаны на рис. 6.9 и 6.10.
Выходные характеристики имеют участок насыщения тока, связанный как и у МДП-транзисторов с образованием "горловины" канала вблизи стока.
Напряжением отсечки полевого транзистора с управляющим p-n-переходом называется напряжение на затворе, при котором практически полностью перекрывается канал и ток стока стремится к нулю.
Дата добавления: 2019-07-26; просмотров: 556;