Технологические модели

В качестве примера рассмотрим математическую модель технологического процесса изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплава РС3710.

Для получения модели был проведен полный факторный эксперимент, типа ПФЭ-2³. В качестве основных технологических факторов используют следующие:

1) температуру испарения – Х₁;

2) температуру подложки – Х₂;

3) толщину резистивного слоя (d) – Х₃.

Были получены следующие уравнения регрессии:

;

;

;

;

t_СТ - время отжига;

К_СТ=1,0767 – 0,0175Х₃; K_сп.= _SOC/ _Sст.

Х₁=1823-1623 К; Х₂=300-400 ⁰С; Х₃=200-400 .

Другим примером может служить модель адгезии контактных площадок типа хром – медь, нанесенных на ситалловую подложку.

На основании априорной информации были выбраны следующие технологические факторы:

1. температура подложки при напылении подслоя хрома;

2. скорость термического осаждения подслоя хрома;

3. степень вакуума в подколпачном устройстве;

4. толщина подложки хрома;

5. срок хранения подложки после химической очистки.

Был проведен анализ степени значимости выбранных технологических факторов. Он проводился методом отсеивающих экспериментов. В результате было установлено, что значимыми являются только два технологических фактора: Х₁ – температура подложки при напылении подслоя хрома; Х₂ – скорость термического осаждения подслоя хрома. Математическая модель технологического процесса напыления подслоя хрома имеет следующий вид:

, где Y – величина адгезии слоя ситалловой подложки.

Х₁=300 ⁰С; Х₂=6 .

Стоимостные модели

В качестве примера можно привести стоимость кристалла полупроводниковой микросхемы (или платы гибридной микросхемы).

.

Эту формулу можно преобразовать через площадь.

S_П – площадь подложки; С_к – стоимость проведения k-ой технологической операции изготовления ИМС; С₀ – стоимость подложки; N – число кристаллов на одной подложке; S_ИМС – площадь, занимаемая одним кристаллом; Р_П – доля годных ИМС на одной подложке, %; М – число операций; S₀ – стоимость подложки.