Физико-топологические модели

Пусть мы имеем гибридную интегральную микросхему. В качестве примера физико-топологической модели гибридной ИМС можно привести следующую:

.

Рис. 9. Физико-топологическая модель гибридной ИМС

Характеризует удельное поверхностное сопротивление.

Здесь N- число квадратов резистивного элемента; - отношение площади контактных площадок к площади резистивного слоя (по всем элементам); b- ширина резистивного слоя, l – контактная площадка.

Данная модель может быть использована для обоснования технологических ограничений при проектировании прицензионно - резистивных плат.

В качестве аналогичного примера для полупроводниковой микросхемы можно рассмотреть модель подвижности основных носителей заряда. При небольших концентрациях легирующих примесей можно использовать следующее эмпирическое выражение:

,

где С_Т=С_А+С_Д - полная концентрация легирующих примесей; причем для электронов ; ; ; ; для дырок соответственно ; ; ; .

Зависимость подвижности от напряженности электростатического поля описывается следующим соотношением:

,

где Е – напряженность поля; - подвижность в слабых полях; =2; ; - скорость носителей заряда (зависит от температуры); причем максимальные скорости носителей заряда и не зависят от концентрации примесей.